Моделирование процессов механической обработки пластин полупроводниковых и диэлектрических материалов свободным абразивом

Введение
ГЛАВА 1. АНАЛИЗ МОДЕЛЕЙ И МЕХАНИЗМОВ УДАЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА С ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ПРИ ИХ ОБРАБОТКЕ СВОБОДНЫМ АБРАЗИВОМ. i x i 1
1.1. Абразивный износ, связанный с процессами хрупкого разрушения при многопроволочной резке и двухстороннем шлифовании свободным абразивом.
1.2. Абразивный износ, связанный с упругопластической деформацией поверхности, при химикомеханическом полировании.
1.3 Обзор моделей процессов механической обработки пластин ХМП полупроводниковых и диэлектрических материалов.
1.4 Выводы.
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ СВОЙСТВ И СТРУКТУРЫ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ НАРУШЕННЫХ СЛОЕВ ОБРАБАТЫВАЕМЫХ МАТЕРИАЛОВ
2.1 Рентгеновские методы исследования структуры приповерхностных слоев обрабатываемых материалов
2.1.1 Двукристальная дифракгометрия
2.1.2 Секционная рентгеновская топография СРТ
2.1.3 Рентгеновская топография в скользящей геометрии дифракции.
2.1.4 Исследования на синхротрошнлх источниках рештеновского
излучения
2.2 Разработка метода рентгеновской диагностики подложек сапфира на синхротронном излучении
2.3 Метод непрерывного вдавливания индентора. Основы метода и возможности применения в микроэлектронике
2.4 Определение механических свойств арсенида галлия 1 В и сапфира с
ориентацией и методом непрерывного вдавливания индентора.
2.5 Определение трещиностойкости в пластинах сапфира различной ориентации и и кремния на сапфире КНС.
2.6 Определение изменений твердости и модуля Юнга верхнего пористого слоя используемых полировальников в процессе их износа при химикомеханическом полировании
2.7 Определение изменений структуры полировальников в процессе их износа при химикомеханическом полировании методом сканирующей электронной микроскопии СЭМ
2.8 Выводы
ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ МЕХАНИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ СВОБОДНЫМ АБРАЗИВОМ
3.1 Моделирование процессов удаления материала с поверхности пластин при их многопроволочной резке и двухстороннем шлифовании свободным
абразивом
3.2 Моделирование процесса удаления материала с поверхности пластин при химикомеханическом полировании на мягком полировальнике. .
3.2.1 Контактная модель в ХМП
3.2.2 Полировальник и его поры.
3.2.3 Деформация в системе пластиначастица и полировальникчастица .
3.2.4 Нормальное распределение размеров абразивных частиц
3.2.5. Скорость удаления материала с поверхности пластины
3.3 Выводы.
ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ПРОВЕРКА И РЕАЛИЗАЦИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ РАБОТЫ.
4.1 Расчеты глубины повреждений для наиболее значимых материалов электронной техники при многопроволочной резке и шлифовании свободным абразивом и их экспериментальная проверка
4.2 Экспериментальная проверка применимости модели съема при химикомеханическом полировании на примерах сапфира и арсенида галлия
4.3 Исследование подложек сапфира и арсенида галлия методом рентгеновской диагностики.
4.3.1 Исследование подложек сапфира и структур кремния на сапфире
4.3.2. Исследование подложек арсенида галлия 1 В на двухкристальном дифрактометре.
4.4 Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ
ЛИТЕРАТУРА