СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Свойства, применение и особенности получения нитридов
металлов третьей группы
1.1. Основные свойства и применение II 1нитридов
1.2. Способы получения эпитаксиальных пленок нитридов
металлов третьей группы
2. Экспериментальные методики и постановка экспериментов.
2.1 Конструктивные и функциональные особенности установки
МПЭ ЭПН1
2.1.1 Структура установки ЭПН1
2.1.2 Подготовка и проведение эпитаксиального роста на установке ЭПН1
2.2. Конструктивные и функциональные особенности установки
МПЭ ШВЕЯ Р.
2.2.1. Структура установки ШВЕЯ .
2.2.2. Особенности использования яркостного пирометра для контроля ростового процесса в МПЭ
2.2.3 Подготовка и проведение эпитаксиального роста на установке ШВЕЯ Р.
2.2.4. Особенности использования силана для легирования 1нитридов кремнием в установке РИБЕР .
2.2.5. Особенности использования эффузионной ячейки в качестве источника магния.
2.3. Измерение параметров эпитаксиальных структур
2.3.1. Установка для измерения катодолюминесценции.
2.3.2. Установка для измерения электрических параметров по эффекту Холла
2.3.3 Омические контакты к легированным слоям п и ртипа проводимости
3. Рост полупроводниковых слоев , I и твердых растворов
на их основе методом МГ1Э.
3.1. Начальная стадия эпитаксиального роста.
3.1.1. Эпитаксиальный рост на i1.
3.1.2. Эпитаксиальный рост на А1Оз .
3.2. Кинетика эпитаксиального роста нитридов III группы.
3.3. Кристаллические и оптические свойства короткопериодных сверхрешеток I
4. Получение и свойства светодиодов с излучением в УФ области
на основе гетероструктур
4.1 Легирование сплавов i
4.1.1. Легирование слоев x.x кремнием в диапазоне составов
0.х 1.
4.1.2. Легирование слоев x.xмагнием 0к0..
4.1.3. Легирование и электрические свойства короткопериодных сверхрешеток.
4.2. Оптические и электрические свойства светодиодов на основе КПСР, излучающих в дальней УФ области
4.3. Рост и оптические свойства квантовых точек
Заключение.
Список цитируемой литературы
- Київ+380960830922