ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Литературный обзор
1.1. Общая характеристика оксида цинка
1.2. Методы получения монокристаллических слоев и пленок ТпО на ориентирующих и не ориентирующих подложках
1.3. Газотранспортный метод получения оксида цинка и анализ условий его восстановления водородом.
1.4. Физические явления в оксиде цинка и их влияние на его основные параметры.
1.5. Основные методы получения кристаллов и ориентированных пленок сернистого кадмия.
ГЛАВА 2. Описание установки, методики химического транспорта 7л и С8, подготовки поверхности подложек к их нанесению, изучения совершенства структуры и их некоторых свойств
2.1. Описание установки для получения пленок ХпО и Сбй методом химических транспортных реакций
2.2. Исследование совершенства структуры и ориентации растущего слоя пО и Сс методом дифракции быстрых электронов .
2.3. Методика подготовки и очистки поверхности подложек к нанесению ориентированных слоев и пленок ЪпО и СБ
2.4. Методика измерения электрических свойств пленок и слоев гпО и Сб8
ГЛАВА 3. Термодинамика транспорта сульфида кадмия и получение его в атмосфере водорода.
3.1. Расчет изменения свободной энергии реакции восстановления сульфида кадмия водородом.
3.2. Зависимость константы равновесия реакции, парциальных давлений ее компонентов от температуры и общего давления
в системе
3.3. Определение относительного выхода кадмия в газовую фазу и
его зависимости от условий осуществления реакции.
Выводы.
ГЛАВА 4. Закономерности роста и морфология эпитаксиальных пленок сульфида кадмия и некоторые свойство гетероструктуры СЛвХпО
4.1. Микроморфология и особенности роста эпитаксиальных пленок сульфида кадмия базисной ориентации.
Выводы
4.2. Некоторые свойства гетероструктуры пСбБппО.
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922