- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324503 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Неупругие процессы при столкновениях релятивистских структурных тяж#лых ионов с атомами
- Электронная импульсная спектроскопия квантовых систем с сильными электронными корреляциями
- Исследование элементного и химического состава поверхности кремния и его соединений методами электронной спектроскопии
- Эффекты многократного ионного рассеяния и их использование для диагностики твердых растворов
- Разработка методики инфакрасной голографии в области 10.6 МкМ и ее применение для диагностики плазмы
- Методы томографической диагностики лазерной плазмы с применением преобразования Хартли
- Механизмы образования вторичных ионов кремния и меди при облучении ионами инертных газов
- Асимптотическая теория взаимодействия заряженных частиц и квантовых систем с внешними электромагнитными полями
- Квазиоптические компрессоры мощных микроволновых импульсов
- Исследования векторных корреляций и анизотропии в процессах фотодиссоциации молекул BrCl, N2O, HBr и DBr с учетом высших поляризационных моментов