- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324503 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Усиление СВЧ колебаний с близкими частотами в ЛБВ М-типа
- Оптические свойства наноразмерных стекловидных пленок оксидов кремния и тантала
- Параметрические и резонансные взаимодействия в приборах М-типа
- Низкотемпературная спектроскопия примесных центров Pr3+ в кристаллах оксиортосиликатов
- Спектр коллективных возбуждений вырожденных 2D-электронов с тонкой структурой энергетического и пространственного распределения
- Особенности электронного транспорта в неоднородных одноэлектронных структурах
- Псевдооднородные электромагнитные структуры в инструментальной электронной оптике
- Моделирование переноса примесей в пристеночной плазме токамака
- Резонансный транспорт тока в сверхпроводящих переходах
- Эффективные преобразователи световых пучков на вынужденном рассеянии для адаптивных лазерных систем