- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324503 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Шумовые характеристики молекулярно-электронных преобразователей диффузионного типа и перспективы применения приборов на их основе
- Эффективные преобразователи световых пучков на вынужденном рассеянии для адаптивных лазерных систем
- Релаксационные процессы при высоковольтном наносекундном пробое газа в коаксиальных волноводах
- Теоретическое исследование нелинейных режимов работы электронно-пучковых систем типа О
- Сегментный волновод как направляющая система для вакуумных электронных приборов СВЧ
- Транспортные модели в теории переноса позитронов
- Исследование прикатодных процессов в устройствах сильноточной электроники
- Кросс-релаксационный YAG:Er3+ лазер
- Взаимодействие и устойчивость различных форм импульсного пробоя газов высокого давления
- Колебательные температуры и эффективная генерация на линиях 0111-1110 полосы в электроразрядных Со2-лазерах