- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324503 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование туннельных эффектов в наноструктурах методами сканирующей зондовой микроскопии
- Исследование механизма разрушения поверхностей монокристаллов при ионной бомбардировке под скользящими углами
- Нестационарные процессы в активных элементах частотно стабилизированных гелий-неоновых лазеров
- Модификация морфологических и структурных характеристик эпитаксиальных плёнок халькогенидов свинца при электрохимической и плазменной обработках
- Низкотемпературная спектроскопия примесных центров Pr3+ в кристаллах оксиортосиликатов
- Неравновесная поверхностная ионизация
- Особенности работы лампы обратной волны М-типа при наличии многочастотного входного сигнала
- Нелинейные явления при усилении электромагнитных волн интенсивными электронными потоками в многолучевых микроволновых усилителях
- Методы сканирующей зондовой микроскопии в исследовании поверхностных наноструктур
- Форвакуумный плазменный источник ленточного электронного пучка с повышенной плотностью тока на основе разряда с протяженным полым катодом