Ви є тут

Особенности магнитных свойств разбавленных магнитных полупроводников на основе Si, InAs, GaN и ZnO

Автор: 
Семисалова Анна Сергеевна
Тип роботи: 
Кандидатская
Рік: 
2012
Артикул:
324934
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Содержание
Введение
Глава 1 Разбавленные магнитные полупроводники свойства, методы получения и исследования
1.1 Разбавленные магнитные полупроводники материалы спинтроники
1.1.1 История открытия.
1.2 Теоретические модели для описания свойств разбавленных магнитных полупроводников.
1.2.1 Модель Зинсра
1.2.2 Модель связанных магнитных поляронов.
1.2.3 Модель примесной донорной зоны.
1.2.4 с0 магнетизм
1.2.5 Роль беспорядка и формирования кластеров.
1.3 Типы материалов
1.3.1 1пМпАз.
1.3.2 СаЫ
1.3.3 Сплавы 1Мп
1.3.4 гпОСо.
1.4 Методы получения.
1.4.1 Химическое осаждение из газовой фазы.
Глава 2 Описание экспериментальных методик и исследуемых образцов.
2.1 Вибрационная магнитометрия.
2.1.1 Вибрационный магнитометр
2.1.2 Методика обработки результатов.
2.2 Исследуемые образцы
2.2.1 I.
2.2.2 i ионная имплантация
2.2.3 i импульсное лазерное осаждение.
2.2.4 .
2.2.5 ,
Глава 3 Экспериментальные результаты и их обсуждение.
3.1 I.
3.2 i ионная имплантация
3.3 i Импульсное лазерное осаждение.
3.4 , V
3.4.1 Исследование образцов .
3.4.2 Образцы без допирования
3.5 ионная имплантация
Основные результаты и выводы
Литература