- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2012
Артикул:
1005495100 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Количественная катодолюминесцентная микроскопия прямозонных материалов полупроводниковой оптоэлектроники
- Управление параметрами рентгеновских дифракционных максимумов воздействием на кристаллы тепловым и электрическим полем
- Поверхность Ферми и электрон-фононное взаимодействие в кубических 5d-металлах
- Получение монокристаллов легированных манганитов лантана методом бестигельной зонной плавки, исследование их магнитных и транспортных свойств в области промежуточного и сильного легирования стронцием
- Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе
- Неравновесные фазовые переходы и стохастический резонанс в квазидвумерном электронном газе
- Параметры расщепления 3d-оболочки в кристаллическом поле и их связь с магнитными и спектральными свойствами соединений переходных металлов
- Динамические процессы и вязкоупругие свойства нематических жидких кристаллов, ограниченных фотоориентируемой поверхностью
- Исследование влияния анизотропии на подвижность носителей зарядов в алмазоподобных кристаллах
- Фазовый переход диэлектрик-металл в щелочно-галоидных кристаллах в условиях высоких давлений