Ви є тут

Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения

Автор: 

Пащенко Александр Сергеевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

1005495100

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Вязкость расплавов медь-алюминий и влияние их гомогенизирующей термообработки на структуру после кристаллизации
• Особенности лазерной генерации волн Рэлея в ферромагнитных металлах в окрестности точки Кюри
• Электронная структура и фазовый состав тонких пленок на основе углерода и кремния, определенные методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии
• Модификация полиэлектролитных капсул наночастицами серебра и молекулами красителей и перенос энергии фотовозбуждения в этих системах
• Эволюция дислокационной структуры и стадийность деформационных кривых в ГПУ - сплавах циркония
• Кинетические модели формирования пространственно-упорядоченных структур на поверхности твердого тела
• Внутрицентровая люминесценция ионов Mn2+ в твердых растворах AiiBvi и гетероструктурах на их основе
• Корреляционные эффекты в нейтральной и заряженной электрон-дырочной системе в полупроводниковых гетероструктурах
• Энергетическая структура и свойства сильно коррелированных электронных систем купратов и манганитов
• Кинетические эффекты сплавов висмут-сурьма-мышьяк в интервале температур 77-300 К под давлением