Ви є тут

Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения

Автор: 

Пащенко Александр Сергеевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

1005495100

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Коротковолновая люминесценция, дефекты и рекомбинационные процессы в кристаллах трибората лития LiB3 O5
• Ультразвуковые исследования равновесных свойств органических жидкостей
• Электрические свойства гранулированных нанокомпозитов ((Fe_45Co_45Zr_10)_x(SiO_2)_100-x и (Fe_45Co_45Zr_10)_x(Al_2O_3)_100-x)
• Исследование релаксации модельного мицеллярного раствора
• Радиационное распухание металлов
• Исследование парамагнитных дефектов в рентгенооблученных кристаллах KTiOPO4 и RbTiOPO4
• Электрическая релаксация и фотоиндуцированные явления в поликристаллах Pb3O4
• Экспериментательное изучение нелинейных свойств нормальных металлов
• Исследование пространственного рапределения радиационных дефектов в монокристаллах W, Mo, Nb, Al и Si методом обратного рассеяния протонов
• Поляризационно-чувствительные фотоэлектрические и оптические явления в кристаллах