Вы здесь

Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения

Автор: 

Пащенко Александр Сергеевич

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

2012

Артикул:

1005495100

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Исследование влияния деформации на структуру кристаллов сульфида и селенида цинка методом ЭПР
• Структурная модификация плёнок кремния в процессе роста и легирования
• Влияние слабых магнитных полей на микротвердость и ползучесть алюминия
• Модулированные структуры, предпереходные явления и свойства металлических сплавов (Ni-Al) и оксидов Y(Eu)-Ba-Cu-O
• Детектирование потока энергии фотонов и их потерь при взаимодействии излучения с веществом
• Теоретическое описание спектральных интенсивностей "запрещенных" брэгговских рефлексов в области аномального рассеяния
• Закономерности усталостного разрушения дюралюмина Д16АТ, стали 20Х13 и ее композиций с Ni-Cr-B-Si-покрытиями на мезоуровне
• Получение токонесущих 2212 BSCCO структур в объемных и многожильных длинномерных изделиях из исходного метастабильного состояния
• Моделирование структуры дефектов в кремнии методами молекулярной динамики и квантовой химии
• Влияние решеточного ангармонизма на упругие модули и теплоемкость редкоземельных ферро- и парамагнетиков