- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Закономерности релаксации упругих напряжений и диффузия в псевдоморфных SiGe/Si структурах
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1999
Артикул:
1000228579 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Изготовление и свойства эпитаксиальных пленочных гетероструктур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O x
- Разработка основ технологии электронно-лучевой обработки боролантановых стекол для изготовления компонентов оптико-электронных приборов искусственных спутников Земли
- Исследования однонаправленных и слабоаподизованных встречно-штыревых преобразователей поверхностных акустических волн и разработка устройств частотной селекции на их основе
- Технологические основы создания твердотельных сенсоров газов на основе нанокомпозитных оксидных материалов
- Нанометровые высоковольтные предохранители для экспериментальной физики
- Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А3 В5
- Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4
- Разработка и исследование конструкции и технологии высокоэффективных термоэлектрических устройств
- Разработка и исследование логических схем на основе элементов конденсаторно-транзисторного типа
- Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных систем на основе гетероструктурных и ?-легированных квантовых ям на подложках GaAs различной ориентации