- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Применение радиационных методов отбраковки потенциально ненадежных гетероструктур в технологии производства суперлюминесцентных диодов
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2012
Артикул:
1005522195 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Свойства многослойных затворных структур МОП нанотранзисторов, на основе силицидов и диэлектриков с высоким ?, полученных методами магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения
- Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А3 В5
- Моделирование солнечных батарей на основе различных полупроводников
- Схемотехника СВЧ - систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов
- Разработка и исследование технологических основ создания пленок полимерных нанокомпозитов с углеродными наноструктурами для устройств микроэлектронной сенсорики
- Исследование кинетики и механизмов взаимодействия газоразрядной фторсодержащей плазмы с поверхностью LiNbO3
- Конверсионная модель эффекта низкой интенсивности в биполярных интегральных микросхемах космического назначения
- Термическое окисление монокристаллов карбида кремния политипа 6Н
- Структура и электронные характеристики пиролизованного полиакрилонитрила
- Повышение надежности интегральных схем в процессе серийного производства методом выравнивающей технологии