Оглавление.
ВВЕДЕНИЕ.
Роль поверхностного потенциального поля монокристалла в фокусировке атомов, распыленных с поверхности монокристалла
1. Модели фокусировки эмитированных атомов.
1.1.1. Исторический обзор.
1.1.2. Сравнение теоретических и экспериментальных данных о положении пятен Венера
1.1.3. Различные подходы к учету влияния поверхностного поля на процесс распыления
2. Расчет конфигурации поля у поверхности грани 1 монокристалла 1.
1.2.1. Модель расчета.
1.2.2. Анализ конфигурации эквипотенциалей
3. Расчеты эмиссии атомов с поверхности грани 1 монокристалла Ы1 в направлениях, близких к нормали к поверхности
1.3.1. Модель расчета.
1.3.2. Результаты расчетов
1.3.2.1. Дефокусировка эмитированных атомов от нормали к
поверхности
1.3.2.2 Влияние магнитного фазового перехода на направление движения эмитированных атомов.
4. Сравнение статической и динамической моделей эмиссии
атомов из узла кристаллической решетки
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ГЛАВА
Расчет вероятности отражения электронных и атомных потоков от поверхностного потенциального барьера
1. Обзор литературы
2.1.1. Области применимости классической и квантовой механики.
2.1.2. Использование квантовомеханических теорий при описании эмиссии электронов и ионов
2. Выбор вида потенциального поля на границе твердое тело
вакуум.
3. Постановка задачи
4. Анализ коэффициента прохождения через барьер для частных случаев.
5. Осцилляции коэффициента отражения электронных потоков
и атомов за счет поверхностного потенциального поля
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
Распыление двухкомпонентных мишеней
1. Обзор литературы
3.1.1. Основные теоретические формулы для оценки преимущественного распыления.
3.1.2. Обзор экспериментальных результатов. Роль соотношения масс и энергий связи атомов компонент мишени в преимущественном распылении
3.1.3. Влияние на преимущественное распыление характеристик бомбардирующих ионов экспериментальные данные
3.1.4. Обзор результатов моделирования.
3.1.5. Распыление изотопов и виртуальные модели распыления.
3.1.6. Влияние пространственной структуры мишени на преимущественное распыление.
2. Алгоритм моделирования многочастичного взаимодействия 3. Моделирование распыления тыльной поверхности ультратонкой пленки виртуальных кристаллов ванадия и кремния со структурой С.
3.3.1. Модель расчета
3.3.2. Прохождение ионов криптона через пленки.
3.3.3. Распыление атомов компонент тыльной поверхности мишени
4. Распыление монокристаллического и аморфного дисилицида ванадия.
3.4.1. Постановка задачи.
3.4.2. Модель расчета
3.4.3. Коэффициенты распыления атомов компонент
3.4.4. Энергетические спектры распыленных атомов.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
ЛИТЕРАТУРА