Математическое моделирование асимметричных реверсивно-включаемых динисторов

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ ПРОБЛЕМЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
1.1. Анализ методов расчета и моделирования реверсивновключаемых динисторов
1.1.1. Конструкция и физические основы работы реверснвновключаемого динистора
1.1.2. Асимметричный реверсивновключаемый динистор
1.1.3. Теория квазидиодной работы реверсивновключаемого динистора
1.2. Анализ современного состояния математического моделирования полупроводниковых приборов
1.3. Основные уравнения для моделирования силовых полупроводниковых приборов
1.3.1. Феноменологическая система дифференциальных уравнений полупроводника
1.3.2. Квазнпотенциалы Ферми
1.3.3. Сужение ширины запрещенной зоны
1.3.4. Подвижность носителей заряда
1.3.5. Рекомбинация носителей заряда
1.3.6. Лавинная генерация носителей заряда
1.3.7. Тепловые свойства кремния
1.4. Выводы и постановка задачи
ГЛАВА И. РАЗРАБОТКА МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ АСИММЕТРИЧНОГО РЕВЕРСИВНОВКЛЮЧАЕМОГО
ДИНИСТОРА
2.1. Конструкция моделируемой структуры
2.1.1. Учет краевого профиля
2.1.2. Элементарная структура реверсивновключаемого динистора
2.2. Профили распределения концентрации легирующей
примеси
2.3. Рекомбинационные центры, создаваемые в процессе электронного и протонного облучения
2.4. Учет влияния внешней цепи на работу асимметричного реверсивновключаемого динистора
2.5. Основные уравнения математической модели асимметричного реверсивновключаемого динистора
2.6. Краевые условия
2.7. Начальные условия
2.8. Выводы
ГЛАВА III. АПРОБАЦИЯ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ АСИММЕТРИЧНОГО РЕВЕРСИВНОВКЛЮЧАЕМОГО
ДИНИСТОРА
3.1. Оптимизация конструкции асимметричного реверсивновключаемого динистора
3.2. Исследование переходных процессов коммутации тока асимметричным реверсивновключаемым динистором
3.3. Сравнение расчета с экспериментом
3.3. Моделирование влияния облучения на основные электрические параметры асимметричных реверсивновключаехмых динисторов
3.4. Выводы ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ