ОГЛАВЛЕНИЕ
Оглавление.
Принятые обозначения и сокращения.
Введение.
Глава 1. Современные квантоворазмерные гетероструктуры II и тенденции в создании инжекционных лазеров спектрального диапазона нм на их основе
1.1. Конструктивные и физикохимические особенности гетероструктур
1.2. Актуальность и способы повышения эффективности полупроводниковых лазеров
1.3. Заключение.
Глава 2. Особенности напряженных квантоворазмерных гетер о структур в системе материалов II.
2.1. Сегрегация атомов индия в условиях МОСгидридной эпитаксии гетерострукгур
I
2.2. Критические условия на образование и распространение дислокаций несоответствия
в напряженных квантоворазмерных гетероструктурах I
2.3. Спектральные свойства напряженных квантоворазмерных лазерных гстерос зруктур 7,
I
2.4. Спектральные особенности полупроводниковых лазеров на основе напряженных
квантоворазмерных гетероструктур I
2.5. Заключение.
Глава 3. Оптимизация активной области квантоворазмерных лазерных гетероструктур II для полупроводниковых лазеров спектрального диапазона нм
3.1. Общие принципы построения конфигурации квантоворазмерной активной области
лазерных гетерострукгур
3.2. Активная область лазерных гетероструктур I конфигурация
квантовых ям.
3.3. Активная область лазерных гетерострукгур I конфигурация
ступенчатого волновода с двойным ограничением носителей
3.4. Заключение.
Глава 4. Экспериментальное исследование характеристик высокоэффективных одномодовых гребневых полупроводниковых лазеров.
4.1. Методики экспериментального исследования характеристик инжекционных полупроводниковых лазеров.
4.2. Оптимизация активного элемента одномодовых гребневых полупроводниковых лазеров с длиной волны нм.
4.3. Исследование основных характеристик высокоэффективных одномодовых гребневых полупроводниковых лазеров с длиной волны нм
4.4. Заключение
Выводы и заключение.
Литература