ОГЛАВЛЕНИЕ
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1 Энергонезависимые устройства памяти с фазовыми переходами
1.1 Два поколения микросхем энергонезависимой памяти на основе элементов с фазовыми переходами. Конструкции элементов памяти.
1.2. Основные функциональные характеристики элементов памяти с фазовыми переходами.
1.3. Электронные процессы в активной области элемента памяти с фазовыми переходами при его перезаписи
1.3.1. Экспериментальные характеристики включения элементов памяти при фазовом переходе запоминающего объема из аморфного в кристаллическое состояние
1.3.2. Модель переключения, основанная на допущении о генерации и трансформации дефектов в сильных электрических полях.
1.3.3. Генерационнорекомбинационная модель переключения элемента памяти в состояние с высокой проводимостью
1.3.4. Кристаллизационная модель переключения элемента памяти в состояние с высокой проводимостью
1.4. Выводы и постановка задачи исследования.
2. Получение экспериментальных образцов и разработка методики их измерения .
2.1. Методика исследования.
2.2. Экспериментальные образцы.
2.2.1. Типы экспериментальных образцов.
2.2.2. Исходный материал активной области
2.2.3. Нанесение пленок .
2.2.4. Свойства пленок .
2.3. Методика измерений
2.3.1. Требования к измерительным устройствам
2.3.2. Экспериментальный стенд для измерения статических характеристик элементов памяти с фазопеременной средой
2.3.3. Экспериментальный стенд для измерения динамических характеристик элементов памяти с фазопеременной средой
2.4. Разработка методики измерения образцов
2.4.1. Статические характеристики
2.4.2. Динамические характеристики.
2.5. Выводы
3. Исследование включения ячеек памяти с фазовыми переходами.
3.1. Экспериментальное исследование включения в ячейках памяти с фазовыми переходами.
3.1.1. Статические характеристики
3.1.2. Динамические характеристики.
3.2. Разработка модели включения ячейки памяти. Сравнение экспериментальных и расчетных результатов
3.2.1. Формулировка модели и основные допущения.
3.2.2. Расчет порогового напряжения
3.2.3. Расчет характеристик халькогенидного полупроводника в сильных электрических полях.
3.2.4. Расчет вольтамперной характеристики.
3.2.5. Расчет эмиссионной емкости.
3.2.6. Расчет времени задержки
3.3. Разработка методики определения параметров аморфного материала с применением эмиссионной модели
3.3.1. Разработка методики определения параметров аморфного материала из термополевых измерений
3.3.2. Разработка методики определения параметров активной области из
характеристик элемента памяти с фазовыми переходами.
3.4 Выводы
Заключение
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922