Введение
ГЛАВА 1. Методы описания процессов происходящих при прохождении нерелятивистских электронов через вещество 1
1.1 Сечение упругого рассеяния
1.2 Приближение непрерывных потерь. Формула БетеБлоха. Тормозное рентгеновское излучение.
1.3 Приближение случайных потерь. Оже электроны. Характеристическое рентгеновское излучение
1.3.1 Столкновение с электронами внутренних оболочек.
Формула Гризинского.
1.3.2 Столкновение с электронами внешних атомных оболочек.
1.3.3 Генерация плазмонов.
1.3.4 Важность учта случайных потерь. Распределение Ландау.
1.4 Поверхностные эффекты. Граница раздела сред. Работа
выхода. Рассеяние низкоэнергичных электронов.
Заключение
ГЛАВА 2. Метод МонтеКарло для моделирования рассеяния
частиц в веществе.
2.1. Принципы моделирования рассеяния методом МонтеКарло
2.2. Обрезание траекторий.
2.3. Метод выборки максимальной значимости деление,
вращение траекторий, понижение размерности задачи
2.4. Распределение Ландау. Использование Аналитических
моделей прохождения электронов через вещество.
2.5. Комбинирование сечений рассеяния.
2.6. О генераторе случайных чисел.
Заключение
I
ГЛАВА 3. Результаты моделирования рассеяния
нерелятивистских электронов.
3.1. Распределение выделенной в процессе экспонирования электронным пучком энергии
3.2. Распределение выделенного в процессе экспонирования электронным пучком заряда.
3.3. 30 моделирование при неплоской топологии образца.
Неперпендикулярнос падение электронного пучка
3.4. Моделирование вторичной электронной эмисии на прострел
и обратноотражнных электронов
3.5. Флуктуации энергии и заряда, накопленных при
экспонировании образца электронным пучком
3.6. Псевдоупругий пик на энергетическом спектре вторичных электронов.
3.7. Влияние неоднородностей образца и заргязнения на
поверхности на спектр вторичной электронной эмиссии
3.8. Энергоугловой спектр вторичных электронов.
3.9. Влияние точности задания сечений на результаты
моделирования
Выводы.
Список литературы
- Київ+380960830922