ВВЕДЕНИЕ
1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ.
1.1. Технолог ия изготовления и структура поликристаллического кремния .
1.2. Модели электропроводности поликристаллического кремния
1.3. Пьезорезистивные и упругие свойства поликремния.
1.4. Влияние импульсного токового отжига на электропроводность иоликремния
1.5. Упругие элементы тензопреобразователей давления.
1.6. Распределение деформации в мезаструктурах.
Выводы.
ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
2. МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ И ПЬЕЗОРЕЗИСТИВНОГО ЭФФЕКТА В СЛОЯХ
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ.
2.1. Феноменологическое описание эффекта пьезосопротивления в
пленках поликристаллического кремния в линейном приближении.
2.2. Нелинейность ньезорезистивного эффекта в пленках поликристаллического кремния.
2.3. Модель рассеяния дырок на потенциальных барьерах в поликристаллическом кремнии.
2.4. Ньезосопротивление в пленках поликристаллического кремния р
2.5. Влияния импульсного токового отжига на электрофизические характеристики поликристаллического кремния р типа.
2.6. Модель электропроводности поликристаллического кремния р типа, учитывающая растекание тока в кристаллитах.
Выводы.
3. АНАЛИЗ ПОЛЕЙ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ И ИХ НЕЛИНЕЙНОСТЕЙ В ПРЯМОУГОЛЬНЫХ ДИАФРАГМАХ.
3.1. Механические напряжения в прямоугольных диафрагмах при больших прогибах.
3.2. Экспериментальные исследования прогибов и напряжений в квадратных диафрагмах
Выводы.
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОНО И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
4.1. Влияние температуры роста и термического отжига на электрофизические характеристики поликристаллического кремния.
4.2. Использование технологии для создания тензопреобразователей сенсоров давления
5. ВОПРОСЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМИ ТЕНЗОРЕЗИСТОРАМИ
5.1. Влияние линейных размеров поликремниевых резисторов на их
тензочувствительность.
5.2. Тепловая модель тензорезистора.
5.3. Влияние текстуры на тензочувствительность поликремниевых тензорезисторов ртипа
5.4. Расположение тензорезисторов на диафрагме, определение выходного сигнала тензопреобразователя давления.
5.5. Начальный выходной сигнал тензопреобразователя давления
6. КОНСТРУКТИВНО ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ ПРИНЦИПОВ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМИ ТЕНЗОРЕЗИСТОРАМИ
6.1. Тензопреобразователь давления с поликремниевыми островками
6.2. Применение профилированных диафрагм для повышения чувствительности сенсоров давления
6.3. Тензопреобразователь с уменьшенной нелинейностью выходного сигнала.
6.4. Тензопреобразователь давления со специальной зависимостью выходного сигнала.
6.5. Тензопреобразователь давления с температурно независимым выходным сигналом
6.6. Сенсоры давления со стальными разделительными диафрагмами
Заключение раздела 6.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922