Люминесцентные свойства структур на основе кремния в области длин волн 1,5-1,6 мкм

Содержание.
Введение.
1. Люминесцентные свойства структу р Ее219 полученных методом ионной имплантации.
1.1. рРе8 новый материал для кремниевой оптоэлектроники
обзор литературы.
1.2. Методы формирования и анализа кремниевых структур с 8к3Ре2.
1.3 Люминесцентные свойства 1 РЕе структур.
1.4. Природа люминестенции Б РРе2 структур.
2. Дефектнопримесная фотолюминесценция в кремнии.
2.1. Примеси и дефекты а СгБкО.
2.2. Влияние термообработки на люминесцентные свойства
кремния.
2.3. Природа излучения с максимумом на 0. эВ.
2.4. Люминесцентные свойства Рлинии 0,7 эВ в кремнии, отожжнном при 0 С.
3. Электролюминесценция селективно легированных структур полученных методом СМЛЭ.
3.1 Введение.
3.2. Излучательные центры в 8пЕгЕ1 структурах выращенных методом СМЛЭ.
3.3. Исследование ЭЛ диодных структур 8кЕг.
4.4. Температурное гашение люминесценции иона Ег3.
Процессы ожедевозбуждения Ег люминесценции.
3.5. Экспериментальное исследование ожедевозбуждения на структуре с позиционированным активным слоем.
3.6. Эффект задержанной люминесценции в структуре с позиционированным активным слоем.
Заключение.
Список публикаций по теме диссертации.
Список цитируемой литературы