СОДЕРЖАНИЕ
Список основных обозначений.
Введение
Глава 1. Суперлюминесцентиые диоды широкополосные источники оптического излучения
1.1. Технологические аспекты создания суперлюминесцентных диодов
1.2. Оптическое усиление в полупроводниках
1.2.1. Типы полупроводниковых диодных гетероструктур.
1.2.2. Транспорт носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах.
1.2.3. Волноводные свойства оптоэлектронных светоизлучающих полупроводниковых приборов.
1.2.4. Оптическое усиление в полупроводниковых приборах
1.2.5. Основные требования и критерии, предъявляемые к
суперлюминесцентным диодам с низкой спектральной модуляцией
1.2.6. Оптимальная конструкция активного элемента
суперлюминесцентного диода.
1.3. Основные выходные параметры суперлюминесцентных диодов.
1.4. Способы уширения полосы излучения суперлюминесцентных диодов.
Обзор литературы.
1.5. Области применения суперлюминесцентных диодов
1.6. Выводы.
Глава 2. Разработка широкополосных суперлюминесцентных диодов на
основе полупроводниковых гетероструктур
2.1. Экспериментальные образцы и методика измерений.
2.2. Широкополосные суперлюминесцентиые диоды спектрального диапазона 0 0 нм.
2.3. Широкополосные источники излучения в спектральной области нм на основе квантоворазмерных суперлюминесцентных диодов
2.4. Теоретическая модель двухпроходного суперлюмипесцентного диода со спектральноселективным отражателем .
2.4.1. Модель
2.4.2. Модель II
2.4.3. Экспериментальные результаты.
2.5. Широкополосные суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 0 нм с пространственнонеоднородной инжекцией на основе
полупроводниковых квантоворазмерных гетероструктур
2.6. Выводы.
Глава 3. Широкополосные источники света на основе объединения
излучения различных суперлюминесцентных диодов
3.1. Технологические аспекты создания широкополосного источника света на основе объединения излучения различных суперлюминесцентных
3.2. Оптические разветвители и ответвители.
3.3. Экспериментальные результаты
3.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922