ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. Особенности процессов намагничивания микрообъектов и их
применение в электронных устройствах 1.1. Коэрцитивное намагничивание тонкопленочных аппликаций
1.2. Микроэлектронные ферродатчики магнитного поля
1.3. Развитие конструкций элементов управления ЦМД на основе пермаллоевых аппликаций
1.4. Методы исследования элементной базы каналов продвижения ЦМД
1.5. Проблема сужения ОУР канала продвижения, пересеченного токовыми шинами
1.6. Разработка логических устройств на основе взаимодействия магнитных микрообъектов
ГЛАВА И. Экспериментальные методы исследования процессов ф намагничивания и характеристик взаимодействия магнитных микрообъектов.
2.1. Магнитооптические хметоды исследования намагничивания микрочастиц и их массивов на основе эффектов Керра и Фарадея.
2.2. Определение профиля потенциальной ямы взаимодействия двух взаимно намагничивающих объектов.
2.3. Распределение гкомпоненты поля размагничивания в окрестности намагниченной аппликации.
2.4. Измерение кривых намагничивания аппликаций по изменению величины поля коллапса ЦМД.
2.5. Замыкание магнитного потока в аппликациях сложной формы
ГЛАВА III. Управление гистерезисными свойствами магнитных
микроэлементов в электронных устройствах
3.1. Влияние размеров и расположения прямоугольных аппликаций
на форму и параметры петли гистерезиса массива аппликаций.
3.2. Перезаписьваемыйкодоноситель для идентификации объектов.
3.3. Запоминающий датчик магнитного поля.
3.4. Применение коэрцитивных свойств свойств аппликаций
для измерения слабого магнитного поля
3.5. Бескоэрцитивный линейный магниторезистивный датчик
магнитного поля
3.6. Магнитомягкие кантилеверы для магнитной силовой микроскопии
3.7. Тонкопленочный датчик для считывания ЦМД
ГЛАВА IV. Управляющие структуры МЛ на основе асимметричных шевронов
4.1 Влияние асимметрии аппликаций на характеристики канала
продвижения ЦМД
4.2. Влияние литографического искажения формы шевронов
на характеристики каналов продвижения ЦМД
4.3. Оптимальная форма шеврона для пермаллоевого канала
ф продвижения
4.4. Влияние величины спейсера на характеристики каналов
продвижения ЦМД
4.5. Технология самосовмещения для ЗУ ЦМД с плотностью
записи 4 Мсм2.
4.6. Оптимизация технологических параметров изготовления ЗУ ЦМД большой емкости по статистическим данным контроля микросхем
ГЛАВА V. Двухслойные управляющие структуры для ЗУ ЦМД
5.1. Двухслойный канал продвижения ЦМД
5.2. Повороты и свертки на основе двухслойных элементов
5.3. Периферийные функциональные узлы ЗУ на основе аппликаций
в двух слоях.
5.4. Сужение ОУР пересеченного канала продвижения
ГЛАВА VI. Влияние механического напряжения на поведение доменной структуры в эпитаксиальных Ферритгранатовых пленках
6.1. Проявления обратного магнитострикционного эффекта в
пересеченных каналах продвижения ЦМД.
6.2. Механизмы взаимодействия домена с полем неоднородного механического напряжения
6.3. Анизотропные свойства взаимодействия домена с полем механического напряжения в ЭФГП.
6.4. Способы управления магнитострикционными эффектами
ГЛАВА УП. Домендоменное взаимодействие в запоминающих и логических
устройствах на ЦМД.
7.1. Влияние формы и расположения аппликаций в каналах
продвижения на домен доменное взаимодействие
7.2. Повышение надежности ЗУ ЦМД с помощью встроенных
логических узлов
7.3. Логические функции ИЛИ на основе домендоменного взаимодействия
7.4. Логическая функция И, сумматор на основе домендоменного взаимодействия
7.5. Общая структурная схема и топология
. магнитного нейрокомпьютера.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922