Статистические модели контроля выхода годных и технологических потерь в производстве СБИС

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР СОВРЕМЕННЫХ МЕТОДОВ АНАЛИЗА ВЫХОДА ГОДНЫХ И КОНТРОЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ
1.1. Компаундраспределения Пуассона.
1.2. Биномиальное компаундраспределение и его
свойства
1.3. Схема Пойа .
Замечание об используемых терминах и моделях выхода
годных.
1.4. Принципы планирования сравнительных экспериментов в микроэлектронике.
1.5. Алгоритм анализа сравнительных экспериментов в микроэлектронике.
1.6. Основные понятия статистического приемочного контроля качества.
1.7. Постановка задач исследований
ГЛАВА 2. МОДЕЛИ ДЕФЕКТНОСТИ И ВЫХОДА ГОДНЫХ. НОРМИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ.
2.1. Распределение выхода годных
2.2. Оперативная характеристика технологических потерь
2.3. Многоуровневое обобщение кластерной модели дефектности
2.4. Среднее значение и дисперсия многоуровнего компаундраспределения Пуассона.
2.5. Корреляционные характеристики в многоуровневой
модели.
2.6. Обобщение распределения выхода годных
2.7. Математическое моделирование в рамках кластерных моделей для дефектности и выхода годных
2.8. Выводы.
ГЛАВА 3. РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ
3.1. Методика анализа сравнительных экспериментов в
микроэлектронике несбалансированный эксперимент
3.2. Экономическая оценка результатов сравнительного эксперимента по оценке выхода годных технологической пробы.
3.3. Приемочный контроль качества по количественному признаку
3.4. Выводы
ГЛАВА 4. ПРАКТИЧЕСКАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ РАБОТЫ
4.1. Методика анализа дефектности и расчет параметров распределения выхода годных
4.2. Применение многоуровневой кластерной модели к анализу дефектности группы изделий.
4.3. Применение методики анализа сравнительных экспериментов.
4.4. Практическая ценность работы.
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.
ЛИТЕРАТУРА