Содержание
Введение .
Теоретическая часть
1. Особенности технологии изготовления гетероструктур 0е и
приборов на их основе
1.1. Физические особенности 8Юе гетероструктур.
1.1.1. Основные свойства элементарных полупроводников Э1 и вс.
1.1.2. Свойства твердых растворов замещения 1.хСех
1.1.3. Изменение свойств твердых растворов замещения 1.хСех в
эпитаксиальных структурах.
1.2. Методы изготовления эпитаксиальных слоев 8Юе и гетероструктур на их основе.
1.2.1. Химическое осаждение из паровой фазы.
1.2.2. Молекулярнолучевая эпитаксия
1.2.3. Альтернативные методы эпитаксии
1.2.4. Сравнение различных методов получения эпитаксиальных
структур 8Юе
1.3. Методы изготовления легированных эпитаксиальных слоев
1.3.1. Выбор легирующей примеси в и БЮе
1.3.2. Донорные примеси в Б1 и 8Юе
1.3.3. Акцепторные примеси в и БЮе.
1.4. Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур
на основе твердых растворов 8Юе
1.4.1. Напряжения и дислокации несоответствия.
1.4.2. Морфология поверхности эпитаксиальных слоев ЭЮе,
выращенных на Б1 подложке.
1.5. Приборные структуры на основе БЮе.
1.5.1. Гетеробиполярные транзисторы.
1.5.2. Полевые транзисторы
1.5.3. ИК детекторы.
1.5.4. Устройства на квантовых эффектах.
1.5.5. Тенденции применения вЮе слоев и гетероструктур на их
основе.
1.6. Методы исследования эпитаксиальных структур 0е
1.6.1. Физические методы исследований.
1.6.2. Электрофизические методы исследования
1.7. Краткие выводы по главе 1
2. Расчет процессов эпитаксии Бц Ое и вЮе из твердофазных источников.
2.1. Тепловой расчет источника испарения в условиях вакуума.
2.1.1. К расчету размеров тигля.
2.1.2. К расчету температуры испарения
2.1.3. К выбору метода нагрева тигля
2.2. Расчет параметров молекулярного источника для испарения
кремния
2.2.1. Расчет размеров тигля
2.2.2. Расчет температуры испарения.
2.2.3. Выбор метода нагрева.
2.3. Расчет параметров молекулярного источника для испарения
германия.
2.4. Расчет параметров эффузионного источника для испарения
2.5. Расчет процессов эпитаксии вКЗе слоев
2.5.1. Расчет скорости роста и ве
2.5.2. Расчет мольной доли германия в 8Юе.
2.6. Краткие выводы по главе 2
Экспериментальная часть
3. Технология выращивания гетсроструктур 8ц.хСех на кремниевой подложке методом молекулярнолучевой эпитаксии из твердофазных источников.
3.1. Подготовка установки МЛЭ.
3.2. Подготовка подложек.
3.3. Влияние параметров и условий роста на структурное совершенство эпитаксиальных структур 8Юе8ц выращенных
на установке МЛЭ Цна9.
3.3.1. Влияние степени разряжения в области роста.
3.3.2. Влияние температуры подложки
3.3.3. Влияние температуры исходных реагентов
3.4. Температурные зависимости содержания компонентов в
твердых растворах БЮе, выращенных на установке МЛЭ Цна9.
3.4.1. Температурные зависимости скорости роста
3.4.2. Температурные зависимости содержания основных
компонентов в эпитаксиальных слоях БЮе
3.4.3. Температурные зависимости концентрации примеси в
эпитаксиальных слоях Б1 и БЮе.
3.5. Электрофизические измерения
3.5.1. Методика бесконтактного измерения электрофизических
параметров БЮе структур.
3.5.2. Зависимости подвижности носителей заряда от мольной доли
германия
3.6. Краткие выводы по главе 3
4. Особенности изготовления БЮе гетеробиполярного транзистора.
4.1. Разработка тестового кристалла БЮе ГБТ.
4.2. Краткие выводы по главе 4
Заключение
Приложения
1. Технологический маршрут изготовления транзисторной структуры
БЮе ГБТ на Б1 подложке КДБ0.
2. Основные этапы технологического маршрута
3. Параметры типовой структуры ГБТ на 0сБ1
4. Топологические размеры типовой структуры ГБТ на БЮеБ1
5. Состав и совмещаемость комплекта РФШ
Литература
- Київ+380960830922