Разработка технологии выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасных фотоприемников

СОДЕРЖАНИЕ
Список сокращений и обозначений
Введение.
Глава 1. Общая характеристика материала . Основные методы выращивания и управления свойствами ЭС обзор литературы
1.1 Основные свойства материала КРТ.
1.2 Методы выращивания ЭС КРТ
1.2.1 Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений
1.2.2 Молекулярнолучевая эпитаксия
1.2.3 Жидкофазная эпитаксия ЖФЭ
1.3 Фазовые равновесия в системе Те применительно
к условиям проведения ЖФЭ.
1.4 Легирование и термообработка КРТ с целью придания заданных электрофизических свойств.
1.5 Требования к ЭС КРТ для создания многоэлементных фоторезисторов и фотодиодных матричных фотоприемников
1.6 Выводы по главе 1
Глава 2. Опробование различных вариантов ЖФЭ применительно к получению ЭС КРТ из раствороврасплавов на основе Те
2.1 ЖФЭ КРТ в горизонтальной проточной системе.
2.2 Вертикальный вариант ЖФЭ КРТ в условиях повышенного давления защитного газа
2.3 ЖФЭ КРТ в запаянной кварцевой ампуле.
2.4 Выводы по главе 2
Глава 3. Математическое моделирование процессов выращивания
ЭС КРТ из жидкой фазы.
3.1 Математическая постановка задачи.
3.2 Результаты численного моделирования конвекции при растворении и росте КРТ методом ЖФЭ
3.3 Выбор режимов получения ЭС с гладкой поверхностью и однородным распределением состава
3.4 Выводы по главе 3
Глава 4. Разработка технологических основ выращивания ЭС КРТ
методом ЖФЭ в запаянной ампуле, их легирования и отжига
4.1 Разработка технологических режимов выращивания ЭС КРТ с заданными составом, толщиной и морфологией поверхности
из раствороврасплавов на основе Те.
4.2Исследование структурного совершенства ЭС КРТ, выращенных
по разработанным технологическим режимам.
4.3Разработка технологических режимов выращивания легированных индием или галлием ЭС КРТ из растворов
расплавов на основе Те
4.4Разработка режимов отжига. Электрофизические, фотоэлектрические и оптические свойства ЭС КРТ.
4.5 Выводы по главе 4.
Глава 5. Разработка технологии выращивания ЭС КРТ методом ЖФЭ
для крупноформатных матричных фотодиодных и многоэлементных фоторезистивных ИК фотоприемников
5.1 Технология выращивания ЭС КРТ методом ЖФЭ для
ИК фотоприемников
5.2 Опробование ЭС КРТ при изготовлении крупноформатных матричных фотодиодных и многоэлементных фоторезистивных
ИК фотоприемников
5.3 Выводы по главе 5.
Выводы .
Список литературы