Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии

Введение.
Глава 1 Литературный обзор
1.1 Основные свойства полупроводникового твердого раствора Сф.уТпуТе 0у0, и диаграмма состояния системы Сб2пТе.
1.2 Основные методы выращивания кристаллов СбПуТе 0у0,.
1.3 Способы обработки поверхности подложек СбПуТе 0у0,.
1.4 Технологические требования, предъявляемые к подложкам СбПуТе 0у0, для выращивания на их основе эпитаксиальных структур СбхЬ.хТе 0,х0, методом жидкофазной эпитаксии.
Глава 2 Выращивание кристаллов СбПуТе методом вертикальной направленной кристаллизации и их свойства.
2.1 Методика проведения процесса выращивания кристаллов Сб.у2пуТе
2.2 Дефекты структуры кристаллов Сб.у2пуТе.
2.2.1 Дислокационная структура кристаллов СбПуТе
2.2.2 Двойники и микродвойниковые ламели.
2.2.3 Включения второй фазы и преципитаты
2.3 Контроль примесного фона массспектрометрическими методами
Глава 3 Влияние температурновременных режимов завершающей стадии процесса кристаллизации и последующего охлаждения кристаллов СбПуТе на их электрофизические и оптические свойства
3.1 Локальный контроль оптических и электрофизических параметров
Сб.у2пуТе
3.2 Влияние температурновременных режимов завершающей стадии процесса кристаллизации на оптические и электрофизические свойства кристаллов СбПуТе
3.3 Температурновременные режимы посткристаллизационного охлаждения кристаллов СбПуТе7с
Глава 4 Локальные несовершенства кристаллической решетки подложек i. 0,у0,.
4.1 Исследования колебательных свойств подложки . 0,у0, и эпитаксиального слоя xi.x 0,х0, методом комбинационного рассеяния света
4.2 Оценка пространственного размера преципитатов теллура по спектрам комбинационного рассеяния света.
4.3 Выявление нанопреципитатов теллура в подложках i. 0,у0, по спектрам инфракрасного отражения
Глава 5 Изготовление подложек . 0,у0, для выращивания эпитаксиальных слоев xi.x 0,х0, методом жидкофазной эпитаксии
5.1 Основные технологические переделы при изготовлении пластинподложек .
5.2 Финишная химикомеханическая полировка пластинподложек
5.2.1 Выбор способа химикомеханической полировки1 И
5.2.2 Выбор травильного раствора.
5.2.3 Контроль геометрических параметров и микрорельефа поверхности подложек
5.2.4 Контроль физикохимического состояния поверхности
5.3 Опробование подложек в процессах жидкофазной эпитаксии.
Технологическая схема изготовления подложек . для
выращивания гетероструктур x.x. методом
жидкофазной эпитаксии.
Выводы.
Список литературы