СОДЕРЖАНИЕ
СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ.
ВВЕДЕНИЕ
РАЗДЕЛ ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР1.1.Структурные дефекты в кристаллах 1.1.1.Общие представления.1.1.2.Объемные дефекты кристаллической структуры в реальных кристаллах
1.1.3.Способы уменьшения дефектности в кристаллах.1.2.Форма фронта кристаллизации1.3.Нестационарные процессы при выращивании монокристаллов.1.4.
1.4.1.
1.4.2.
1.4.3.
1.4.4.
1.5.
1.5.1.
1.5.
Управляемое вытягивание монокристаллов.
Характеристика процессов автоматизированного управления диаметром кристалла по сигналу датчика уровня расплава
Обобщенная структурная схема автоматической системы управления выращиванием
Алгоритмы автоматизированного управления процессом выращивания.
Система управления процессом выращивания.
Сцинтилляционные монокристаллы
Cвойства смешанных кристаллов CsI-CsBr(Na)
Пластичность монокристаллов с решеткой типа CsCl
Выводы к
разделу 1.
РАЗДЕЛ ПОЛУЧЕНИЕ НА УСТАНОВКАХ "РОСТ" НЕПРЕРЫВНЫМ МЕТОДОМ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ХАРАКТЕРИСТИК
2.1.Непрерывный метод вытягивания на затравке крупногабаритных щелочно-галоидных монокристаллов и адаптированные к нему установки серии "РОСТ"
2.2.Технологический процесс получения крупногабаритных монокристаллов CsI(Na), CsI(Tl) и NaI(Tl) на установках "РОСТ"
2.2.1.Затравливание2.2.2.
2.2.3.Разращивание кристалла до заданного конечного диаметра.
Рост кристалла в высоту.
2.3.Расчет концентрации активатора в кристалле2.4.Расчет параметров кристаллизации крупногабаритной були2.5.Исследования объемных дефектов кристаллической структуры2.6.Раскрой крупногабаритной були на заготовки. Обработка заготовок2.7.Методика исследования пластической деформации в кристаллах CsI(Na).
2.8.Методика бесконтактных измерений температуры на поверхности выращиваемых кристаллов, элементах тигля и стенках печи.
Выводы к
разделу 2.
РАЗДЕЛ ДЕФЕКТЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ В КРИСТАЛЛЕ.
3.1.Требования к сцинтилляционным кристаллам и возможности непрерывного метода.
3.2.
3.2.1.
3.2.2.Состав и виды дефектов в крупногабаритных монокристалах
Виды дефектов в крупногабаритных монокристаллах CsI(Na), CsI(Tl) и NaI(Tl)
Состав и морфология дефектов
3.3.Причины возникновения дефектов3.3.1.Геометрическое расположение дефектов в виде захвата примеси другой фазы
3.3.2.
3.3.3.
3.3.4.
3.3.5.Взаимосвязь боковой поверхности с изменением формы фронта кристаллизации
Дефекты кристаллической структуры в виде локального изменения прозрачности кристалла.
Большеугловые границы как результат пластической деформации в растущем кристалле
Изменение концентрации активатора по длине кристалла. Выращивание кристаллов предельного диаметра
Выводы к
разделу 3
РАЗДЕЛ ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НЕПРЕРЫВНЫМ МЕТОДОМ С ПОДПИТКОЙ РАСПЛАВА
4.1.
4.2.
4.2.1.
4.2.2.
4.3.
4.3.1.
4.3.2.
4.4.
4.5.
4.5.1.
4.5.2.
4.5.3.
Основные стадии выращивания кристалла
Стадия I. Испарение расплава и осаждение его на торцевой поверхности кристалла и на стенках ростовой печи.
Зависимость параметра tдно от времени разращивания кристалла от затравки до заданного диаметра
Распределение конденсата расплава на внутренних стенках ростовой печи.
Стадия II. Начало роста в высоту до выхода кристалла за пределы тигля. Осаждение конденсата на боковой поверхности кристалла.
Влияние состава газовой атмосферы в ростовой печи на количество конденсата на торце кристалла и элементах ростовой печи
Распределение температур на верхнем торце кристаллов, выращенных при разном составе газовой атмосферы ростовой печи.
Зависимость глубины погружения в расплав фронта кристаллизации от состава газовой атмосферы ростовой печи
Стадия III. Продолжение роста кристалла в высоту после выхода кристалла за пределы тигля.
Кинетика формы фронта кристаллизации при выращивании в атмосферах аргона и гелия
Теплоотвод от боковой поверхности растущего кристалла. Зависимость эффективности теплопотерь с поверхности растущего кристалла в окружающее пространство от скорости роста кристалла.
Теплофизическое ограничение выращивания слитков бесконечной длины
Выводы к
разделу 4.
РАЗДЕЛ ПОЛУЧЕНИЕ ДЛИННОМЕРНЫХ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ CsI(Na) С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ.
5.1.Инерционность теплового узла ростовой печи при выращивании монокристаллов CsI(Na) на затравке из расплава постоянного объема
5.2.Разработка новой двухконтурной АСУ процессом выращивания.5.3.Примеры настройки действующей АСУ. Разработка алгоритма автоматического управления выращиванием, позволяющего снизить или исключить вероятность образования ДКС на первых двух стадиях роста
5.4.Управление пластической деформацией кристалла при выращивании.5.5.Оптические и сцинтилляционные характеристики кристаллов.Выводы к
разделу 5.ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.СПИСОК
- Київ+380960830922