- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптичні та фотоелектричні властивості твердотільних структур метал-напівпровідник (GaAs,InP, Si) з перехідним шаром
Тип роботи:
Дис. канд. наук
Рік:
1999
Артикул:
0499U003047 (Д) 129 грн
Рекомендовані дисертації
- Дефектно-домішкова взаємодія в кремнії, легованому ізовалентними домішками
- Електронні транспортні ефекти у багатошарових плівкових системах
- Неоднорідні стани в області фазових переходів в ортофериті ербію
- Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями.
- Високороздільна Х-променева дифрактометрія структурних порушень у приповерхневих шарах Si та кристалічних з'єднань CdHgTe, YLaFeO після іонної імплантації
- Тунельна спектроскопія елементарних збуджень в сильнокорельованих системах (металооксиди)
- Вплив фізичних і геометричних факторів на струмо- і теплоперенесення в металооксидних плівках і гетероструктурах на їх основі
- Фотоелектричні властивості поверхні (111) алмазних полікристалічних плівок
- Електроопір, термо-е.р.с. та механічні властивості композитів на базі терморозширеного графіту, фторопласту та ПВХ-пластизолю
- Електронна структура тернарних силіцидів рідкоземельних металів