Ви є тут

Диэлектрические свойства кристаллов KDP с примесями сложного состава

Автор: 
Грабовский Сергей Викторович
Тип роботи: 
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік: 
2008
Кількість сторінок: 
161
Артикул:
5529
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Содержание
Введение.
Глава I. Основные сегнетоэлектрические свойства
кристаллов группы КОР
1.1. Кристаллическая структура и природа сегнетоэлектричества.
1.2. Статика и динамика доменной структуры
1.3. Диэлектрические свойства
1.3.1. Параэлектрическая фаза .
1.3.2. Диэлектрические аномалии при фазовом переходе.
1.3.3. Сегнетоэлектрическая фаза.
1.3.4. Доменный вклад в бс , аномальное поведение ес и .
1.3.5. Природа эффекта замораживания доменной структуры
1.4. Влияние дефектов и различных факторов на диэлектрические свойства
1.4.1. Изоморфные замещения
1.4.2. Примеси простого состава
1.4.3. Воздействие радиации .
1.4.4. Влияние внешнего электрического поля
1.4.5. Зависимость от амплитуды измерительного поля и др. условий эксперимента
Заключение к Главе I
Глава II. Методы получения кристаллов КОР и механизмы вхождения примесей
2.1. Общие представления о механизме роста
2.2. Методы выращивания классический и скоростной
2.3. Вхождение простых примесей катионы металлов
2.4. Введение сложных примесей органические соединения красители
2.5. Оптические свойства и применение в лазерной технике
Заключение к Главе II
Глава III. Объекты исследования и описание эксперимента
3.1. Описание и характеристики исследованных кристаллов
3.2. Процесс приготовления и параметры образцов .
3.3. Экспериментальная установка и методика измерений .
3.4. Процедура и условия эксперимента
Глава IV. Результаты эксперимента и их обсуждение
4.1. Диэлектрические свойства кристаллов КЭР, полученных различными методами роста 1 о
4.1.1. Классическая методика медленный рост
4.1.2. Методика скоростного роста
4.2. Диэлектрические свойства кристаллов КОР с примесями металлических ионов Сг3
4.3. с примесями неорганических молекул.
4.4. с примесями органических соединений красителей
4.5. Температурный гистерезис с в сегнетоэлектрической области .
4.6. Частотный анализ с. Электропроводность.
4.7. Сравнительное описание свойств всех исследованных кристаллов .
Заключение И ВЫВОДЫ.
Список литературы