Исследование процессов образования и заряжения адсорбционных электронных состояний на эпитаксиальных слоях сульфида кадмия

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Феноменологическое описание кинетики адсорбции на поверхности полупроводников
1.2. Кинетика заряжения поверхности полупроводников при хемосорбции .
1.3. Влияние адсорбции различных частиц на электрофизические и фотоэлектрические параметры сульфида кадмия
Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА
2.1. Методика получения эпитаксиальных слоев сульфида кадмия .
2.2. Конструкция вакуумной установки и измерительной камеры
2.3. Получение и очистка газов
2.4. Пьезорезонансный метод измерения адсорбции на эпитаксиаль
ных слоях сульфида кадмия и некоторые его особенности
2.5. Методика электрофизических измерений.
Глава 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
3.1. Кинетические параметры образования адсорбционных состояний
на поверхности эпитаксиальных слоев сульфида кадмия.
3.2. Характеристические параметры кинетики фотоадсорбции кисло
рода на эпитаксиальных слоях
3.3. Кинетика заряжения адсорбционных электронных состояний на
реальной поверхности эпитаксиальных пленок сульфида кадмия
3.4. Исследование влияния температуры, давления и биографии по
верхности на кинетику заряжения эпитаксиальных слоев .
3.5. Исследование медленной релаксации заряда на реальной поверх
ности эпитаксиальных слоев С.
3.6. Исследование адсорбционной активности полярных Б и
Сс1 граней эпитаксиальных пленок 8.
а. Характеристические параметры кинетики изменения электропроводности эпитаксиальных пленок 8 при адсорбции на 8 и Сс1 гранях
б. Об оценке энергии ионизации адсорбционных поверхностных электронных состояний на полярных 8 и гранях эпитаксиальных слоев 8
3.7. Оценка параметров адсорбционных поверхностных электронных
состояний эпитаксиальных пленок 8 путем исследования кинетики термо и фотодесорбции
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ