Метод переходного состояния в базисе функций Ванье для расчета электронной структуры кристаллических твердых тел

Оглавление
Введение .
Глава 1. Методы расчета электронной структуры кристаллических твердых тел
1.1 Основные положения теории функционала плотности
1.2 Приближение локальной плотности
1.3 Вычислительные схемы, выходящие за рамки приближения локальной плотности
Глава 2. Метод обобщенного переходного состояния
2.1 Метод переходного состояния Слэтсра.
2.2 Формализм функций Ваиье.
2.3 Обобщение переходного состояния Слэтера.
Глава 3. Апробация метода обобщенного переходного состояния расчет электронной структуры и полной энергии
3.1 Электронная структура различных типов диэлектриков в методе ОПС.
3.1.1 Диэлектрик с ионной связью 0.
3.1.2 Полупроводник с ковалентной связью . .
3.1.3 Пайерлсовский диэлектрик ВаВЮз.
3.1.4 Диэлектрик с режимом переноса заряда .
3.2 Спиновый переход в гематите Рсз
3.2.1 Кристаллическая структура и параметры метода ОПС для модели всестороннего сжатия .
3.2.2 Расчет электронной структуры гематита под давлением
Глава 4. Формирования диэлектрического состояния в моноклинной фазе У и в ТОз.
4.1 Диэлектрическое состояние У в моноклинной фазе
4.1.1 Расчет электронной структуры УОг в моноклинной фазе в приближении локальной плотности .
4.1.2 Расчет электронной структуры УОг в моноклинной фазе методом обобщенного переходного состояния.
4.2 Диэлектрическое состояние ТОз .
4.2.1 Расчет электронной структуры ТОз в приближении локальной плотности.
4.2.2 Расчет электронной структуры ТСгОз методом обобщенного переходного состояния
Глава 5. Переход металлдиэлектрик в тригидриде лантана ЬаНзг при изменении концентрации водорода
5.1 Расчет электронной структуры стехиометрического тригидрида лантана
5.2 Расчет электронной структуры тригидрида лантана
при наличии водородных вакансий.
5.3 Описание перехода металлдиэлектрик в тригидриде лантана ЬаНзх
Заключение.
Литература