ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛОКСИДПОЛУПРОВОДНИК
1Л. Основные механизмы токопереноса в МОП структурах
1.1.1. Токи, ограниченные пространственным зарядом ТОПЗ
1.1.2. Эмиссия Шоттки
1.1.3. Эффект ПулаФренкеля
1.1.4. Туннельное прохождение электронов
1.1.5. Примесная прыжковая проводимость
1.2. Исследование МОП структур на переменном токе
1.2.1. Основные понятия теории комплексной диэлектрической
проницаемости
1.3. Физические основы метода высокочастотных вольт
фарадных характеристик МДП структур
1.3.1. Физическая модель поверхности полупроводника и
области пространственного заряда
1.3.2. Электронные свойства структур металлдиэлектрик
полупроводник
ГЛАВА 2. КРЕМНИЕВЫЕ МОП СТРУКТУРЫ С
НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ОКСИДА ЦИНКА.
2.1. Общая характеристика и основные физические свойства тонких пленок оксида цинка
2.2. Методика эксперимента
2.3. Результаты и их обсуждение
2.4. Выводы
ГЛАВА 3. КРЕМНИЕВЫЕ МОП СТРУКТУРЫ С НА1ЮКРИСТАЛЛ ИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ
ТРИОКСИДА ВОЛЬФРАМА
3.1. Структурноэнергетические основы функциональных применений аморфных пленок триоксида вольфрама а
3.1.1. Ближний атомный порядок в пленках дУОз и его
изменение в процессах окрашивания, абсорбции и старения
3.1.2. Электронная структура и зарядовые состояния пленок
триоксида вольфрама и гетероструктур яУОз
3.2. Влияние адсорбции паров воды на электрофизические
характеристики МОП структур с пленками яУОз
3.2.1. Методика эксперимента
3.2.2. Полученные результаты и их обсуждение
3.3. Фазо и дефектообразование в процессе оксидирования
тонких пленок вольфрама на кремнии
3.4. Выводы
ГЛАВА 4. СТРУКТУРЫ МДМ С НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ
ПЛЕНКАМИ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ
4.1. Анодные оксидные пленки на поверхности алюминия
4.2. Методика эксперимента
4.3. Результаты эксперимента и их обсуждение
4.4. Выводы
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922