ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1
СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О МЕХАНИЗМАХ ФОТОПРОВОДИМОСТИ И ФОТОФЕРРОМАГНИТНОГО ЭФФЕКТА В ХРОМОВОМ ХАЛЬКОГЕНИДНОМ ШПИНЕЛЕ СаСге4.
1.1. Кристаллическая структура, электрические и магнитные свойства
1.2. Оптические и фотоэлектрические свойства.
1.3. Фотоферромагнитный эффект в СсГСге4.
1.4. Основные представления об электронной структуре Сс1Сге4.
1.5. Выводы к первой главе.
ГЛАВА II.
МЕТОДИКИ ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ И
ПРИГОТОВЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ.
2.1. Введение
2.2. Методы измерения фотопроводимости.
2.3. Методы исследования кинетики ФП.
2.3.1. Методика стробоскопической регистрации кинетики фототока с пользованием параллельной стробоскопической системы
2.3.2. Методика исследования кинетики токов амбиполярной диффузии
и дрейфа неравновесных носителей.
2.4. Методика измерения фотопроводимости в переменных электрических полях
2.5. Методики измерения фотоферроомагнитного эффекта.
2.6. Подготовка образцов для проведения измерений
2.7. Малогабаритный азотногелиевый прокачной оптический криостат.
ГЛАВА III
МЕХАНИЗМЫ ТОКОПЕРЕНОСА В МАГНИТНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ СсЮге4.
3.1. Введение
3.2. Фотопроводимость и перенос носителей заряда в нелегированном
С1Сге4
3.3. Влияние поверхностных явлений на фотоэлектрические свойства
Сс1Сг2 Беа.
3.4. Фотоэлектрические свойства ЩСге4
3.5. Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей
в ССге4.
3.6. Кинетика амбиполяриых токов диффузии и дрейфа неравновесных носителей в полупроводниках
3.7. Выводы к третьей главе.
ГЛАВА IV
РОЛЬ УРОВНЕЙ ПРИЛИПАНИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В ПРОЦЕССЕ ОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ ЗАКРЕПЛЕНИЯ ДОМЕННЫХ СТЕНОК В МАГНИТНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ СсЮге4
4.1. Введение.
4.2. Статистика захвата фотоэлектронов мелкими донорами,
участвующими в образовании центров закрепления
доменных стенок в СбСгг8е4
4.3. Фотоиндуцированная прыжковая проводимость и фотоферромагнитный эффект в Сс1Сге4Са
4.4. Структура фотоиндуцированных центров в Сс1Сге4.
4.5. Выводы к четвертой главе.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922