СОДЕРЖАНИЕ
Глава 1. Электромагнитные солитоны в полупроводниковых
сверхрештках.
1.1. Свойства полупроводниковых сверхрсшток.
1.2. Уравнение электромагнитной волны,
распространяющейся в полупроводниковой сверхрештке IО
1.3. Электромагнитные солитоны в свсрхрештке
1.4. Затухание солитона в полупроводниковой свсрхрешетке
1.5. Энергетический анализ процесса распространения солитона
в полупроводниковой сверхрештке
1.6. Движение солитона во внешнем электрическом поле.
1.7. Взаимодействие солитонов
в полупроводниковой сверхрсштке
1.8. Прохождение одиночным солитоном
поперечного слоя неоднородности сверхрештки
Глава 2. Исследование возможности создания солитонных
запоминающих устройств
2.1. Типы существующих устройств памяти
2.2. Конструкция и принцип действия ячейки солитонной памяти
2.3. Методика моделирования работы ячеек.
2.4. Локализация солитона в ячейке.
2.5. Извлечение солитона из ячейки.
2.6. Расчт управляющих токов
2.7. Конструкция солитонного устройства памяти.
2.8. Выводы
Глава 3. Солитонная линия задержки на основе полупроводниковой
сверхрештки
3.1. Солитонные линии связи
3.2. Назначение линий задержки.
3.3. Конструкция солитонной линии задержки
3.4. Период колебаний солитона в ячейке.
3.5. Продолжительность задержки солитонов.
3.6. Прохождение солитона через набор близкорасположенных
поперечных слоев неоднородности
3.7. Распространение солитонов в многозвенных ИГСцспях.
3.8. Выводы.
Глава 4. Взаимодействие электромагнитных солитонов в окрестности
поперечного слоя с повышенной концентрацией носителей заряда
4.1. Столкновение солитонов вблизи слоя неоднородности
4.2. Критическое значение параметра неоднородности
4.3. Выводы.
Заключение
Список литературы
- Київ+380960830922