Влияние деформации и случайных полей, создаваемых заряженными примесями, на электронную структуру глубоких акцепторов в полупроводниках

ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ МОДЕЛИ ДЛЯ ОПИСАНИЯ ГЛУБОКИХ
ЦЕНТРОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И МЕТОДЫ РАСЧЕТА ИХ
ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ.
1. Метод псевдопотенциала.
2. Квазизонный метод кристаллического поля.
3. Двухзонное приближение Келдыша.
4. Модель потенциала нулевого радиуса.
5. Эффективный гамильтониан для описания электронов и дырок в условиях внешней деформации.
ГЛАВА 2. МОДЕЛЬ ЦЕНТРА Бпд, В ваАв В УСЛОВИЯХ ВНЕШНЕЙ
ДЕФОРМАЦИИ.
1. Смещение максимума полосы люминесценции в поле внешней
одноосной деформации.
2. Расчет зависимости поляризационного отношения
излучения от давления.
3. Влияние обменного взаимодействия дырок центра и экситона на особенности движения и расщепления линии излучения.
в поле внешней одноосной деформации.
Основные результаты главы.
ГЛАВА 3. ПОДАВЛЕНИЕ ЭФФЕКТА ЯНАТЕЛЛЕРА В ПРИМЕСНЫХ
КОМПЛЕКСАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.
1. Проявление взаимодействия с колебаниями Етипа в примесных центрах
полупроводников в условиях внешней деформации.
2. Проявление взаимодействия с колебаниями Б типа в примесных
центрах полупроводников в условиях внешней деформации.
3. Определение экстремальных точек адиабатического потенциала центра, взаимодействующего с тетрагональными колебаниями ЧгЕ задача в
условиях внешней деформации.
4. Определение экстремальных точек адиабатического потенциала центра, взаимодействующего с тригональными колебаниями в условиях
внешней деформации задача.
Основные результаты главы
ГЛАВА 4. МОДЕЛЬ СЛУЧАЙНЫХ ПОЛЕЙ, СОЗДАВАЕМЫХ ЗАРЯЖЕННЫМИ
ПРИМЕСЯМИ В КРИСТАЛЛАХ.
1. Влияние случайных полей на электронную структуру нейтральных
акцепторов.
2. Влияние случайных полей на поляризацию люминесценции при
переходах зона проводимости акцептор
Основные результаты главы
ЛИТЕРАТУРА