ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ПОВЕДЕНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ПРИ
ВНЕШНИХ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ
1.1. Явления, сопутствующие разрушению кристаллических материалов при механическом воздействии.
1.1.1. Зарождение трещин
1.2. Распространение трещин.
1.2.1. Немонотонный рост трещин.
1.2.2. Влияние дефектной структуры на рост трещин.
1.3. Восстановление сплошности материалов.
1.3.1. Самопроизвольное залечивание трещин скола
1.3.2. Залечивание микротрещин при внешнем сжимающем воздействии
1.3.3. Залечивание трещин при воздействии теплового и электрического полей.
1.4. Качество залечивания микротрещин.
1.5. Влияние внешнего электромагнитного излучения на состояние дефектов
1.5.1. Влияние инфракрасной части спектра на вещество.
1.5.2. Влияние излучения видимого диапазона на вещество.
1.5.3. Влияние ультрафиолетового излучения на кристаллы с различным типом связей.
1.5.4. Влияние рентгеновского излучения на вещество.2В
1.5.5. Влияние уизлучения на вещество
1.5.6. Влияние электронного излучения на вещество.
1.6. Фазовые превращения вызванные действием ионизирующего излучения.
1.7. Люминесценция.
1.8. Цель и задачи исследования.
ГЛАВА 2. ЗАЛЕЧИВАНИЕ ТРЕЩИН В ЩГК ВОЗДЕЙСТВИЕМ
МАЛЫХ ДОЗ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ.
2.1. Влияние электромагнитного излучения на процессы залечивания трещин.
2.2. Методика проведения эксперимента.
2.3. Залечивание микротрещин в ионных кристаллах при воздействии ультрафиолетового излучения
2.4. Особенности реанимации кристалла с трещиной
2.5. Воздействие малых доз рентгеновского излучения на процессы
залечивания микротрещин.
2.5.1. Движение дислокаций при рентгеновском облучении
2.6. Динамика полей напряжений у вершины самозапечившейся трещины при внешнем воздействии электромагнитного излучении различных длин волн
2.7. Механизм залечивания трещин в ЩГК воздействием малых доз ионизирующего излучения
2.8. Выводы.
ГЛАВА 3. ОЦЕНКА КАЧЕСТВА ЗАЛЕЧИВАНИЯ ТРЕЩИН В ЩГК
3.1. Метод химического травления
3.2. Микроиндентирование кристаллов.
3.3. Сопоставление скоростей развития первичной и вторичной
трещин асимметричного скола в ЩГК.
3.4. Оценка прочностных характеристик кристаллов на разрыв
3.5. Выводы.
ГЛАВА 4. КИНЕТИКА РОСТА И САМОЗАЛЕЧИВАНИЯ ТРЕЩИН
СИММЕТРИЧНОГО И АСИММЕТРИЧНОГО СКОЛА В ЩГК.
4.1. Особенности роста трещин скола в кристаллах
4.2. Методика проведения эксперимента.
4.3. Кинетика асимметричного скола и залечивания вершин трещин
4.4. Кинетика симметричного скола.
4.5. Оценка глубины затекания воздуха в полость трещины.
4.6. Исследование конфигурации полей напряжений в вершине трещины симметричного и несимметричного скола.
4.7. Выводы.
ГЛАВА 5. ОЦЕНКА СИЛ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ МОЗАИЧНО
ЗАРЯЖЕННЫХ ПЛОСКОСТЕЙ В ЗАВИСИМОСТИ
ОТ ИХ ОТНОСИТЕЛЬНОГО РАСПОЛОЖЕНИЯ
5.1. Влияние геометрии поверхностей скола в ЩГК на восстановление сплошности
5.2. Аналитическая оценка взаимодействия поверхностей скола в ЩГК
5.3. Выводы.
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922