- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga_2Se_3-GaAs и In_2Se_3-InAs
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2003
Артикул:
6738 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Эффекты безызлучательного переноса энергии электронного возбуждения в активированных средах
- Свойства компенсированных полупроводников вблизи индуцированного магнитным полем перехода металл-диэлектрик
- Влияние легирования и термических процессов на газочувствительные свойства пленок диоксида олова
- Дислокационные процессы в щелочно-галоидных кристаллах в условии комплексного нагружения
- Структура остаточных соединений, полученных гидролизом бисульфата графита
- Влияние магнитного поля на распространение ультразвуковых волн в магнитоупорядоченных кристаллах
- Излучательная рекомбинация в монокристаллических структурах фосфида галлия, арсенида галлия и пористом кремнии при изменении интенсивности оптического и электрического возбуждения
- Кристаллографические особенности и структурные превращения фуллерена C60
- Синтез, кристаллическая структура и электрические свойства сложнооксидных соединений
- Деформационные эффекты при структурных превращениях в монокристаллах никелида титана