Деструкция ионных соединений под действием ионизирующих излучений

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .
I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ II
1.1. Образование сложных радиационных дефектов
в ионных кристаллах . II
1.1.1. Механизмы создания первичных радиационных дефектов .
1.1.2. Конечные продукты радиолиза.
Коллоидальные центры и методы их исследования .
1.1.3. Радиационные процессы при высоких температурах
1.1.4. V центры и их агрегаты
1.1.5. Влияние примесей на процессы агрегатизации центров окраски
1.1.6. Другие протяженные дефекты .
1.2. Распыление кристаллов ионных соединений
под действием ионизирующих излучений
1.2.1. Электронное распыление диэлектрических соединений
1.2.2. Деструкция ЩГК под действием когерентного излучения
1.2.3. Радиолиз ЩГК под действием рентгеновского и облучения
1.3. Проблема водородных центров в ЩГК .
2. ОБРАЗОВАНИЕ И КОАГУЛЯЦИЯ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В ЩГК
ПОД ДЕЙСТВИЕМ РАЗЛИЧНЫХ ВИДОВ ИЗЛУЧЕНИЯ
2.1. Накопление и коагуляция р центров в кристаллах ЫаС1 , легированных ионами ОН
и 0 под действием радиации.
2.2. Высокодозное облучение кристаллов 10 . .
2.3. Высокотемпературное облучение
кристаллов ЫаС0
2.4. Превращение центров окраски в процессе термического отжига .
Выводы 2 главы
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ДЕСТРУКЦИИ
КРИСТАЛЛОВ ЫаС И СаГ2
3.1. Получение монокристаллических образцов
для исследований
3.2. О влиянии ионов ОН и 0 на процесс
радиолиза кристаллов аС1 .
3.3. Методика массспектрометрических исследований процесса радиолиза
3.3.1. Выделение продуктов радиолиза при термическом отжиге облученных
кристаллов 1 и ..
3.3.2. Термостимулированная эмиссия продуктов радиолиза монокристаллов 1 и СаГ2.
3.4. Количественный анализ процесса радиолиза кристаллов ЫаС1 , С10Н и ЫаС0 .
3.5. Механизм выделения продуктов радиолиза из облучаемых ионных соединений
3.6. Микроскопические исследования радиационного
распыления кристалла ЫаС10
Выводы 3 главы .
4. ФОТОХИМИЧЕСКИЕ И ТЕРМИЧЕСКИЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ ВОДОРОДНЫХ ЦЕНТРОВ В КРИСТАЛЛАХ С1 ,
ЛЕГИРОВАННЫХ ИОНАМИ ОН
4.1. ИКспектры облученных кристаллов 0.4 ,
ЫаС1 ОН и ЫаСЧО
4.2. Фотохимические превращения водородных
центров в кристаллах ИаС1Р.
4.3. Особенности высокотемпературного УФоблучения
и отжига облученных кристаллов МоС.Р . . .
4.4. Массспектрометрические исследования выделения водорода из облученных кристаллов 1 и , легированных
водородсодержащими примесями.
4.5. Влияние электрического поля и температуры
на эффективность газовыделения из кристаллов
при УФоблучении
Выводы 4 главы
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ .
ЛИТЕРАТУРА