- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование экситонных спектров поглощения в полупроводниковых кристаллах с учетом ангармонизма фононов
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
135
Артикул:
181681 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
- Адсорбция фуллеренов C60 на поверхностные реконструкции систем Au/Si(111), In/Si(111)
- Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников
- Пикосекундная суперлюминесценция и ее влияние на изменение прозрачности GaAs
- Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик
- Интегральное поглощение как функция отклика экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах, твердых растворах и множественных квантовых ямах
- Влияние взаимодействия примесей с глубокими уровнями Mn, Ni и Fe на их распределение и спектр энергетических уровней в кремнии
- Теория энергетического спектра кристаллического теллура и селена
- Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе
- Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах. Часть 2