Изучение на атомарном уровне реакций взаимодействия точечных дефектов с ядром краевой дислокации

СОДЕРЖАНИЕ
Е Н И Е
. РЕАКЦИИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ С ДИСЛОКАЦИЯМИ И ИХ РОЛЬ В ПРОЦЕССАХ РАДИАЦИОННОСТИМУЛИРОВАННОЙ ДЕФОРМАЦИИ ОБЗОР
I Явления радиационностимулированной ползучести и
распухания общая характеристика.
, Теоретические модели радиационностимулированной
деформации
. Основная, модель радиационностимулированной
деформации модель теории скоростей
3.1. Радиационное распухание континуальное рассмотрение
3.2. Радиационная ползучесть.
. Изучение взаимодействия точечных дефектов с краевыми
дислокациями методами машинного моделирования
. Выводы и постановка задачи.
3. МЕТОДИКА РАСЧЕТОВ.
. Общая схема метода молекулярной динамики для расчета
взаимодействия точечных дефектов с дислокацией
. Процедура вычислений
. Построение начальных конфигураций атомов кристаллита при изучении реакций взаимодействия . дислокации с точечными дефектами
3.1. Построение кристаллита, содержащего точечный дефект
3.2. Построение кристаллита, содержащего дислокацию
3.3. Способы формирования точечного дефекта в окрестности ядра дислокации.
, Расчет энергий связи дислокации с точечными дефектами и определение зон спонтанного захвата точечных
дефектов
. Описание пакета подпрограмм I.
. Тестовые расчеты.
Глава 3. РЕАКЦИИ ВЗАШГОДЕЙСТВИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ С ЯДРОМ .
КРАЕВОЙ ДИСЛОКАЦИИ В НЕНАГРУЖЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ
3.1. Расчет энергий связи комплекса дислокацияточечный дефект и зон спонтанного захвата точечных дефектов дислокацией
3.1.1. Взаимодействие дислокации с меяузельной гантелью СЙО
3.1.2. Взаимодействие дислокации с вакансией.
3.2. Механизмы захвата точечных дефектов дислокацией
3.3. Влияние ориентировки межузельных атомов на их реак. ции взаимодействия с краевой дислокацией .
3.4. Влияние конфигурации межузельных атомов на их реакции взаимодействия с дислокацией, атомные перестройки межузельных атомов вне зоны спонтанного захвата
3.5. Использование результатов машинного моделирования
преимущественного захвата межузельных атомов при вычислении скорости распухания.
Глава 4. РЕАКЦИИ ВЗАШЛОДЕЙСТВИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ С ЯДРОМ
КРАЕВОЙ ДИСЛОКАЦИИ В НАГРУЖЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ..
4.1. Введение одноосных напряжений в расчетную модель.
4.2. Влияние ориентировки внешнего напряжения на взаимодействие точечных дефектов с краевой дислокацией.
4.3. Влияние уровня напряжения на взаимодействие точеч
ных дефектов с краевой дислокацией.
4.4. Использование результатов машинного моделирования
при вычислении скорости радиационной ползучести
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Приложение
Примечание
Литература