СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Методы нсследованш физических параметров неравновесной фотовозбужденной плазмы полупроводников с помощью микроволновою излучении.
Постановка задачи
1.1. Взаимосвязь оптических и электрических параметров полупроводниковых материалов
1.2. Резонаторно волноводные методы исследования плазмы полупроводников
1.3. Интерференционные методы измерения параметров полупроводников.
1.4. Мостовые методы исследования свойств полупроводников .
1.5. Выводы по главе 1
Глава 2. Взаимодействие СВЧ излучения с пространственнонеоднородной плазмой фотоионизированных носителей.
Постановка задачи
2.1. Распределение концентрации носителей заряда фотоионизированной плазмы в тонких полупроводниковых элементах.
2.2. Электродинамика фото возбужден ной полупроводниковой плазмы
2.3. Основные закономерности отражения коротковолнового излучения фотоионизированной полупроводни
ковой плазмой в свободном пространстве
2.4. Выводы по главе 2.
Глава 3. Взаимодействие коротковолнового СВЧ излуче нии с плазмой фотоионизированных полупроводников в волноведущих системах. СВЧ интерферометрнческне измерительные системы параметров оптического излучения.
Постановка задачи.
3.1. Взаимодействие СВЧ волн основного типа колебаний с плазмой фотоионизированных носителей, основные закономерности отражения СВЧ волны от фотовоз бужденного полупроводника
3.2. Устройство и принцип действия СВЧ фотоприемника. .
3.3. СВЧ интерферометрический измеритель интенсивности оптического излучения
3.4. Импульсные характеристики СВЧ интерферометр ричсского измерителя интенсивности оптического излучения
3.5. Выводы по главе 3
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922