2
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .............................................................6
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1 Взаимодействие между точечными дефектами и дислокациями в щелочно-галоидных кристаллах.....................................13
1.2 Особенности краевой дислокации в щелочно-галоидных кристаллах. Влияние примесей на заряд дислокации............................ 21
1.3 Экспериментальные работы по заряженным дислокациям..............25
1.4 Влияние слабого магнитного поля на поведение дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах
1.4.1 Магнитопластический эффект в щелочно-галоидных кристаллах 33
1.4.2 Влияние переменных и импульсных магнитных полей на подвижность дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах..................... 39
1.4.3 «Магнитная память» щелочно-галоидных кристаллов
с дислокациями................................................ 40
1.4.4 Макроскопический магниточувствительный эффект в щелочногалоидных кристаллах.......................................... 41
1.4.5 Влияние магнитного поля на внутреннее трение диамагнитных кристаллов.................................................... 44
1.4.6 Возможная интерпретация магнитопластического эффекта......... 45
ГЛАВА 2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1 Методика измерения внутреннего трения, дефекта модуля Юнга и ультразвукового воздействия на образцы...........................55
2.2 Метод вольтамперных характеристик.............................. 65
2.3 Данные об исследованных кристаллах............................. 67
2.4 Методика создания магнитного и электрического полей в образце 70
з
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ДИСЛОКАЦИОННУЮ НЕУПРУГОСТЬ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ
3.1 Влияние магнитного поля на неупругое поведение кристаллов LiF 76
3.1.1 Влияние слабого магнитного поля на вольтамперные характеристики составного осциллятора с кристаллами LiF.........77
3.1.2 Влияние слабого магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения кристаллов LiF.............................. 83
3.1.3 Влияние слабого магнитного поля на дефект модуля Юнга кристаллов LiF................................................ 107
3.1.4 Влияние магнитного поля на поведение образцов LiF с различной предысторией.................................................. 113
3.1.5 Особенности полос скольжения, формирующихся в кристаллах LiF
при совместном действии ультразвукового и магнитного полей 125
3.2 Влияние магнитного поля на неупругое поведение кристаллов NaCl
3.2.1 Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики кристаллов NaCln.............................................. 130
3.2.2 Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения и дефекта модуля Юнга NaCln при
амплитудах во в интервале 1О"6^ 10'5......................... 132
3.2.3 Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость
вну треннего трения NaCln при амплитудах соответствующих отрыву дислокаций от локальных центров закрепления и размножению в поле ультразвуковой волны..................................... 138
3.2.4 Влияние магнитного поля на внутреннее трение NaCli при амплитудах относительной деформации е0 10'5-г1 O'4 ...................... 147
3.3 Влияние слабого магнитного поля на неупругис свойства кристаллов КС1
4
3.3.1 Влияние магнитного поля на начальные участки вольтамперных характеристик кристаллов КС1.................................. 151
3.3.2 Влияние магнитного ноля на вольтамперные характеристики кристаллов КС1 в широком интервале входных напряжений на кварце V. 154
3.3.3 Влияние магнитного поля на внутреннее трение и дефект модуля Юнга кристаллов КС1........................................... 158
3.4 Влияние магнитного поля на неупругое поведение кристаллов КВг
3.4.1 Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики образцов КВг при напряжениях на кварце Кот 0 до 3 В........... 166
3.4.2 Влияние предварительной выдержки образцов КВг в магнитном
поле на вольтамперные характеристики составного осциллятора 169
3.4.3 Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения и дефект модуля Юнга КВг................... 171
3.4.4 Влияние магнитного поля на параметры дислокационной
структуры щелочно-галоидных кристаллов......................... 175
Выводы к главе 3 .................................................... 182
ГЛАВА 4. СРАВНЕНИЕ ВЛИЯНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО И МАГНИТНОГО ПОЛЕЙ НА НЕУПРУГИЕ СВОЙСТВА И ДИСЛОКАЦИОННУЮ СТРУКТУРУ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ВИБРАЦИИ.............................................. 185
4.1 Влияние электрического и магнитного полей на неупругие свойства щелочно-галоидных кристаллов при малых амплитудах so ............. 190
4.1.1 Влияние электрического и магнитного полей на амплитудную зависимость внутреннего трения в интервале амплитуд є0 10'6~10'5.194
4.1.2 Влияние электрического и магнитного полей на амплитудную зависимость внутреннего трения в интервале амплитуд Єо 1О^ч-Ю“4 .... 197
4.1.3 Влияние электрического поля на амплитудную зависимость внутреннего трения при амплитудах, соответствующих размножению дислокаций в ультразвуковом поле................................................. 203
Выводы в главе 4 ЗАКЛЮЧЕНИЕ ЛИТЕРАТУРА
б
ВВЕДЕНИЕ
К числу основных проблем физики твердого тела относятся установление связи между макроскопическими характеристиками материалов, их структурночувствительными свойствами и микропроцессами, дефектами кристаллической структуры. При этом свойства кристаллов зависят не только от концентрации точечных дефектов и плотности дислокаций, но и от характера взаимодействия дефектов между собой и с дефектами других типов. В присутствии различных полей (электрических, магнитных и т.д.) состояние дефектов может изменяться, что приводит к изменению физических и, в первую очередь, механических свойств кристаллов. Это позволяет, воздействуя на кристалл различными полями, целенаправленно изменять его дефектную струкгуру, а, следовательно, физические свойства.
В последние годы большое внимание стало уделяться исследованию влияния слабых магнитных полей на механические свойства диэлектрических материалов, в том числе и щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК). В 1985 году было обнаружено, что в кристаллах ИаС1 в магни тном поле наблюдается движение дислокаций [1]. В настоящее время эффект влияния слабого магнитного поля на движение дислокаций в ЩГК стал общепризнанным. В качестве основного механизма этого явления рассматривают взаимодействие дислокаций с парамагнитными примесями [1,2]. Физическая природа механизма остается однако полностью не раскрытой.
Наиболее детально влияние магнитного поля на движение дислокаций изучается в ИК РАН им. А.В.Шубникова и Тамбовском ГУ. В большинстве работ, посвященных этому эффекту, применяли режим активного на!ружения или ползучести, а также импульсные механические нагрузки.
Влияние магнитного поля на дислокационную неупругость ЩГК обнаружено в наших работах [3]. Исследования неупругих свойств кристаллов методами
7
внутреннего трения позволяют получать данные о взаимодействии дислокаций и точечных дефектов, не доступные прямым методам наблюдения.
Целью работы было исследовать влияние слабого магнитного поля на свойства дислокационной неупругости - внутреннее трение и дефект модуля Юнга, а также изучить изменения дислокационной структуры и пластичности ЩГК при совместном действии магнитного поля и ультразвука. Представляло интерес также провести сравнение результатов действия магнитного (МП) и электрического полей (ЭП) на дислокационную неупругость и изменение дислокационной структуры ЩГК.
В работе впервые исследовано влияние магнитного поля на дислокационную неупругость (внутреннее трение и дефект модуля Юнга) и дислокационную структуру ЩГК, подвергавшихся действию ультразвука в широком интервале амплитуд относительной деформации е0 от 10' до 10'3 в килогерцевом диапазоне частот. Впервые установлено, что магнитное поле £<1Т оказывает влияние на дислокационную структуру и свойства дислокационной неупругости ЩГК в интервалах амплитуд ультразвука, соответствующих как процессу открепления дислокаций от стопоров, так и процессу размножения дислокаций.
Все полученные в работе результаты являются оригинальными, с точки зрения фундаментальной науки они важны для более глубокого понимания механизмов влияния магнитного поля на механические свойства диэлектрических кристаллов и взаимодействия дислокаций с парамагнитными примесями. С прикладной точки зрения, полученные в работе результаты могут быть полезны для разработки методов целенаправленного изменения свойств ЩГК и для прогнозирования возможных изменений свойств материалов при условиях их эксплуатации при одновременном действии магнитного поля и высокочастотных вибраций.
8
На защиту выносится следующее:
1. Результаты экспериментальных исследований совместного действия слабого магнитного поля (£<1Т) и ультразвука, электрического поля (£<1.2x106 В/м) и ультразвука на дислокационную неупругость щёлочно-галоидных кристаллов в
7 3
широком интервале амплитуд относительной деформации во от 10" до 10" на частотах 40-^80 кГц.
2. Магнитное поле оказывает влияние на внутреннее трение, дефект модуля Юнга, дислокационную структуру и пластичность щёлочно-галоидных кристаллов начиная с некоторого порогового значения £>0.14Т и амплитудах ео, превосходящих значение порядка 10"6.
3. Совместное действие магнитного поля и ультразвука не эквивалентно их последовательному действию. При одновременном действии магнитного поля и ультразвука происходило разупрочнение образцов. При последовательном же действии магнитного поля и ультразвука образец в результате предварительной выдержки в магнитном поле разупрочняется, но при последующем действии ультразвука происходит его упрочнение, так что в итоге он оказывается более упрочнённым, чем образец, не подвергавшийся воздействию магнитного поля.
4. Амплитудно-независимое внутреннее трение как функция индукции магнитного поля возрастает по линейному закону.
5. Наибольший эффект изменения неупругих свойств щёлочно-галоидных кристаллов под влиянием магнитного поля наблюдается в интервале амплитуд относительной деформации, соответствующих откреплению дислокаций от примесных центров. Амплитудно-зависимое внутреннее трение в этом интервале амплитуд сначала растет пропорционально квадрату индукции магнитного поля £2, а при дальнейшем увеличении В стремится к насыщению.
6. Экспериментально установленные эффекты магнитной памяти, магнитного последействия и потери чувствительности образцов к действию магнитного поля.
9
7. Магнитное поле оказывает существенное влияние на процесс размножения дислокаций под действием ультразвука. В отсутствие магнитного поля начальная стадия пластической деформации щёлочно-галоидных кристаллов под действием ультразвука контролируется работой источников, локализованных в границах блоков. При совместном действии магнитного поля и ультразвука свежие дислокации появляются при более высоких амплитудах вблизи концентраторов напряжений. Источники в границах блоков не активизируются.
8. Результаты оценок параметров дислокационной структуры, характерных для совместного действия магнитного поля и з'льтразвука, ультразвукового поля и после предварительной выдержки образцов в магнитном поле. При одновременном действии ультразвука и магнитного поля значения стартовых напряжений и параметра Г~Рт/Ьс уменьшались, а средние смещения дислокационных сегментов <и> увеличивались по сравнению с данными в отсутствие магнитного поля. Средняя длина колеблющегося дислокационного сегмента Ьс как функция магнитного поля сначала росла пропорционально В2, а затем стремилась к насыщению.
9. После предварительной выдержки в магнитном поле и последующем действии ультразвука увеличивались значения стартовых напряжений и параметра ГЧРпДс, а средние смещения дислокационных сегментов уменьшались.
10.Действие электрического поля на дислокационные процессы в щелочно-галоидных кристаллах проявляется при амплитудах относительной деформации во меньших пороговых значений, характерных для магнитного поля. При амплитудах е0, соответствующих откреплению дислокаций от примесных центров, влияние магнитного поля значительно превосходит действие электрического. Электрическое поле стимулирует генерацию дислокаций источниками, локализованными в границах блоков, в то время как при совместном действии
10
магнитного поля и ультразвука источники в границах блоков не активизируются.
Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и списка цитированной литературы.
Во введении обоснована актуальность темы, сформулирована цель диссертационной работы и определен метод исследования. Здесь же приводятся основные положения, которые выносятся на защиту, и описывается структура диссертационной работы.
Первая глава является вводной и посвящена краткому обзору литературы по тематике диссертации. Приводятся данные о типах дефектов, присутствующих в ЩГК. Рассмотрены типы взаимодействий между дислокациями и точечными дефектами.
Дается обзор работ по наблюдению магнитопластического эффекта. Рассмотрены общепринятые модели, используемые для объяснения магнитопластического эффекта. Из приведенных в обзоре данных следует, что влияние магнитного поля на неупругое поведение щелочно-галоидных кристаллов изучено недостаточно. Такие исследования позволяют давать оценки многих параметров, касающихся взаимодействия дислокаций с примесными центрами закрепления, они будут полезны и для выявления процессов, которые приводят к изменению пластических свойств щелочно-галоидных кристаллов в магнитном поле.
При описании работ по изучению поведения дислокаций в электрическом поле особое внимание уделено тем из них, которые вышли после опубликования обзора [4]. Во второй главе описываются способы создания в образцах ультразвукового, магнитного и электрического полей, методика исследования свойств щелочно-галоидных кристаллов в процессе действия маг нитного поля и ультразвука, и электрического поля и ультразвука, методики получения вольтамперных характеристик, измерения внутреннего трения и дефекта модуля Юнга. Приводятся
II
сведения об исследованных образцах (суммарная концентрация и качественный состав двухвалентных примесей, предел текучести, плотность дислокаций и т.д.).
В третьей главе описываются результаты исследований влияния слабых МП с индукцией В 0.1ч-0.8 Т на вольтамперные характеристики, внутреннее трение и дефект модуля Юнга щелочно-галоидных кристаллов 1дР, ЫаС1, КС1 и КВг при
7 ^
амплитудах относительной деформации бо 10' -г 10' в килогерцевом диапазоне частот.
Влияние магнитного поля начинается с некоторого порогового значения индукции В. Наибольший эффект влияния магнитного поля обнаруживается при амплитудах 8о, соответствующих отрыву дислокаций от примесных центров.
При совместном действии магнитного поля и ультразвука происходило разупрочнение образцов. Наблюдаются эффекты магнитной памяти, последействия и потери чувствительности к действию магнитного поля в результате длительного отдыха образцов или ультразвукового действия.
Полученные в работе данные позволили сделать оценки ряда параметров, характеризующих дислокационную структуру и движение дислокаций в ультразвуковом поле, а также установить влияние на них магнитного поля.
Исследования при больших £о Ю^-гЮ'3 показали, что магнитное поле влияет на размножение дислокаций под действием ультразвука. Активации источников, локализованных в границах блоков, при совместном действии магнитного поля и ультразвука не наблюдалось, однако имело место изменение состояния границ блоков. Эти процессы изменяют характер амплитудной зависимости внутреннего трения при испытаниях в магнитном поле.
В четвертой главе описываются результаты по влиянию электрического поля (£<1.2x106 В/м) на дислокационную неупругость щёлочно-галоидных кристаллов. Действие электрического поля проявляется во всём исследованном интервале
7 Я
амплитуд относительной деформации £0 от 10" до 10' , т.е. оно оказывает влияние
12
на все дислокационные процессы, обнаруживаемые в этом интервале. В области малых амплитуд 10'7<£о<2х10'5 на кривой амплитудной зависимости 5(б0) при испытаниях в электрическом поле обнаруживается пик гистерезисной природы, контролируемый отрывом дислокаций от иемагнитночувствительных стопоров. При амплитудах, характерных для отрыва дислокаций от примесных центров (магниточувствительных стопоров) действие магнитного поля значительно превосходит влияние электрического поля . Электрическое иоле стимулирует работу источников, локализованных в границах блоков, в магнитном поле эти источники не активизируются.
В заключении приводятся основные выводы, вытекающие из полученных результатов.
13
ГЛАВА I
ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1 Взаимодействие между точечными дефектами и дислокациями в ЩГК
В реальных кристаллах присутствуют точечные, линейные и поверхностные дефекты.
К числу точечных дефектов принадлежат собственные точечные дефекты, примеси (чужеродные атомы) и их комплексы. К собственным точечным дефектам относятся пары Френкеля и пары Шоттки. Пара Френкеля образуется при удалении атома из своего узла в междуузлие, при этом возникает пара вакансия - межузельный атом. Дефекты по Шоттки представляют собой катионные и анионные вакансии. В кристаллах со структурой ИаС1 энергия образования дефекта по Френкелю много больше энергии образования дефекта по Шоттки, так что концентрацией дефектов по Френкелю можно пренебречь [5]. Примеси могут располагаться в узлах основного вещества (примеси замещения), или могут занимать положение в промежутке между атомами основной решетки, внедряясь в нее (примеси внедрения). Вероятность образования дефекта замещения зависит от соотношения ионных радиусов атома матрицы и примесного атома. В кристаллохимии существует так называемое правило диагональных рядов [6], согласно которому замещение наиболее вероятно для элементов, являющихся в периодической системе соседями в диагональном направлении слева направо и вниз, т.к. именно в этом направлении ионные радиусы элементов близки или даже равны друг другу: например, №+ - 0.98 А, Са2+ -
1.04 А, У3* - 0.98 А и т.д. Двухвалентные примеси входят в ЩГК по типу замещения, поэтому для сохранения электрической нейтральности требуется образование одной катионной вакансии на каждый примесный ион.
14
Условие электрической нейтральности обусловливает и структуру дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах. Известно, что плоскостями легкого скольжения, в которых преимущественно движутся краевые дислокации, являются плоскости {110} (рис.1). Направление краевой дислокации задается единичным вектором Д1, направленным вдоль <100>, ее вектор Бюргерса Ь=(а/2)< 110> (а - период решетки) не является наименьшим вектором трансляции. Это объясняется тем, что направление вектора Ь в ЩГК определяется не только из условия минимума энергии, но и из условия электронейтральности [7]. Условие электронейтральности накладывает определенные требования и на геометрию краевой дислокации. Расположение ионов в ядре краевой дислокации {110}<110> и энергия ядра в №С1 впервые были рассчитаны работе [8]. Краевую дислокацию в структуре ЫаС1 можно создать введением двух дополнительных полуплоскостей {110}. Края лишних полуплоскостей {110} располагаются на разных уровнях [9]. На рис.2 представлена прямолинейная краевая дислокация в структуре ЫаС1 с вектором Л1=[001] и вектором Бюргерса Ь=(а/2)[Т 10]. Ионная решетка изображена совокупностью плоскостей (110). Плоскость спайности (001) перпендикулярна линии дислокации.
Дислокации в кристаллах взаимодействуют с собственными точечными дефектами и с примесными атомами. Взаимодействие дислокаций с примесями определяется двумя механизмами - упругим и химическим. Энергия упругого взаимодействия обусловлена полями упругих напряжений вокруг дислокации и примесного атома. Знак напряжений вокруг атома примеси определяется соотношением радиусов атома примеси Япр и кристаллической матрицы В растворах замещения при А/?=(Япр-Ям)>0 в матрице возникают напряжения радиального сжатия, а при ДО<0 - растяжения. Примесный атом, создающий растягивающие напряжения в матрице, будет перемещаться в сжазую область вокруг дислокации, а атом, создающий сжимающие напряжения, - в растянутую. Такое взаимодействие характерно для краевых дислокаций. В этой модели винтовые
15
Катион •
Анион О
Рис. 1
Системы легкого скольжения {110}<110> в Щ1 К. Плоскости спайности {100}
16
Щ
Рис. 2
Краевая дислокация в структуре ЫаС1 с вектором Д1=[001] и вектором Бюргерса Ь=(а/2)[110]
17
дислокации не взаимодействуют с примесями, поскольку они не создают областей сжатия и растяжения в изотропной среде. Однако если отказаться от предположения об изотропности среды и сферической формы примесного дефекта, то примесный атом будет взаимодействовать с винтовой дислокацией.
Энергия взаимодействия точечного дефекта с дислокацией в этой модели связана с различием размера дефекта и той полости, в которой он должен располагается. Поэтому этот вид взаимодействия получил название размерного. Более строго он называется размерным взаимодействием первого порядка, поскольку его рассмотрение проводится в рамках теории упругости. Рассчитанная по этой модели энергия взаимодействия примесного атома с краевой дислокацией имеет вид:
их = (4/3)[(1+у)/(1-у)][СЛ8г038т(е„)//-]
Здесь: V - коэффициент Пуассона, О - модуль сдвига, г0 - радиус сферической полости, в которую введен примесный ион, Ь - вектор Бюргерса, МЯпр-ЯмУЯм, г - расстояние от дислокации до дефекта, 0О - угол между направлением г и осью х (линия дислокации считается расположенной вдоль оси т; (рис.З).
Кроме размеров, кристаллическая сфера матрицы и точечные дефекты разнятся и своими упругими свойствами, количественно характеризуемыми двумя модулями: модулем сдвига О и модулем сжатия К. Из-за этого различия также возникает взаимодействие точечных дефектов с дислокациями, называемое модульным взаимодействием. Оно появляется из-за того, что, хотя точечный дефект и окружающая матрица откликаются на упругое взаимодействие, но величины отклика их различны. Полная теория модульного взаимодействия достаточно сложна, и поэтому ее упрощают введением понятия очень “твердого” (С/деф=АГдеф=со) и очень “мягкого” (<7деф=£деф=0) дефектов. Примером второго служит вакансия. Энергия модульного взаимодействия точечного дефекта с дислокацией отличается от энергии размерного взаимодействия как бо-
18
Рис.З
К расчету энергии взаимодействия примесного атома с краевой дислокацией в ЩГК
19
лее слабой угловой зависимостью, которой обычно пренебрегают, так и более сильной зависимостью от расстояния г от дефекта до дислокации. Знак модульного взаимодействия зависит от относительной твердости дефекта и матрицы. “Мягкий” дефект (например вакансия) должен притягиваться к дислокации, в то время как “твердый” точечный дефект - отталкиваться.
Энергия модульного взаимодействия вакансии с краевой дислокацией
В промежуточном случае возникает притяжение, если примесь обладает меньшей упругостью, и отталкивание, если примесь имеет большую упругость, чем матрица.
Помимо упругого взаимодействия между точечными дефектами и дислокацией существуют взаимодействия, обусловленные межатомными связями. Межатомное взаимодействие можно выразить в терминах теории химической связи [10,11]. Энергия межатомного взаимодействия дислокаций с точечными дефектами в ЩГК оказывается на порядок ниже энергии упругого взаимодействия [12]. Тем не менее, изменение энергии этого взаимодействия может оказать существенное влияние на свойства кристалла.
Рассмотрим различные виды химических связей в ЩГК. К ним относятся ионная, Ван-дер-Ваальсова и ковалентная связи. Значительная доля энергии межатомного взаимодействия в ЩГК обусловлена ионной связью между анионом и катионом. При рассмотрении ионного взаимодействия обычно используют модель Борна-Майера [12]. Эта модель имеет дело с жесткими, неполяри-зующимися ионами. Энергия взаимодействия имеет вид:
; 2 ті( 1 - у) (7 — 5 у)
Энергия взаимодействия “твердого” точечного дефекта
4 к(1 - у) (4 - 5 у)
11\ = -ае2/4пгоГ + #хсхр(-г/р).
20
Здесь: а - постоянная Маделунга, г - расстояние между ионами, В и р - постоянные. Первый член обусловлен электростатическим взаимодействием ионов, второй связан с отталкиванием, возникающим при перекрытии заполненных электронных оболочек аниона и катиона. Согласно оценкам Борна-Майера, энергия электростатического притяжения аниона и катиона в ЩГК составляет до 90% общей энергии взаимодействия. Энергия, отвечающая силам отталкивания за счет перекрытия заполненных электронных оболочек, - до 9-Н 0% от общей энергии. Для характеристики роли ионной связи в кристалле вводится понятие степени ионности [13,14]. В порядке уменьшения степени ионности исследуемые в настоящей работе ЩГК можно расположить в ряд: LiF, KCl, NaCl и KBr.
Особенностью ионной связи является центральный характер сил, обеспечивающих это взаимодействие.
Силы Ван-дер-Ваальса также являются примером центральных сил. Они обусловлены тем, что нулевые колебания, возникающие в силу принципа неопределенности, создают у каждого атома флуктуирующий дипольный момент с быстро изменяющимися ориентацией и амплитудой. Потенциальная энергия притяжения между возникающими диполями дается выражением:
U2 = -А/г6.
В ЩГК энергия взаимодействия, обусловленная силами Ван-дер-Ваальса, составляет приблизительно 1% от общей энергии взаимодействия анионов и катионов.
Обеспечивающие ковалентную связь силы не являются центральными, для нее харакгерна четко выраженная направленность действия межатомных сил. Силы притяжения в ковалентной связи обусловлены “обменом” электронами, т.е. присутствием электронного газа между одноименно заряженными атомными остатками. Природа сил отталкивания гораздо сложнее. Значительную долю сил отталкивания составляет электрон-электронное спиновое взаимо-
- Київ+380960830922