ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение.
Глава 1. Интенсивность линии водородоподобного атома в магнитном поле.
1.1. Диамагнитные поправки к матричным элементам дипольных переходов между невырожденными состояниями
1.2. Поправки к матричным элементам переходов из вырожденных состояний.
. Корреляция поправок к матричным элементам с диамагнитными восприимчивостями
Глава 2. Влияние диамагнитного взаимодействия на интенсивность радиационных линий многоэлектронного атома в магнитном поле
2.1. Диамагнитные поправки к радиационным матричным элементам.
2.2. Расчет поправок к матричным элементам методом модельного потенциала .
2.3. Количественные оценки магнитонндуцированных поправок
2.3.1. Изменение матричных элементов дипольноразрешенных переходов
2.3.2. Диамагнитноиндуцированные дипольные переходы.
Глава 3. Влияние тонкой структуры резонансных уровней на амплитуду бихроматического сложения частот в атомах..
3.1. Обцие выражения для амплитуды резонансного сложении частот в атомах
3.2. Особенности сечения коллннеарного рассеяния для конкретных резонансных путей
3.2.1. КДД переход ЭР резонанс
3.2.2. ДКДпереход РР резонанс
3.2.3. ДДКгереходРГ резонанс
Глава 4. Влияние тонкой структуры резонансных уровней на амплитуду магнитоиндуцированного когерентного сложения частот.
4.1. Магиитоиндуцнрованпая амплитуда для когерентного сложения част от двух монохроматических излучений...
4.2. Амплитуда сложения частот щелочными атомами.
4.2.1. КДД переход ,., п2Р резонанс
4.2.2. ДКД случай и, Л, П2 А2 резонанс.
4 ДДК переход и2Д2 резонанс.
4.3. Поляризационная зависимость эффектов тонкой структуры когерентного смешивания частот
4.3.1. КДД переход.
4.3.2. ДКД переход.
4.3.3. ДДК переход.
4.4. Количественные оценки эффектов тонкой структуры в характеристиках поляризационной зависимости сложения частот в атомах
Заключение
Литература
- Київ+380960830922