ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Структура и оптические свойства ЬагСиО
1.1.1. Кристаллическая структура Ьа2СиО
1.1.2. Электронная структура Ьа2Си.
1.1.3. Магнитная структура Ьа2Си.
1.1.4. Спектры оптических фононов
1.1.5. Электронные переходы
1.1.6. Заключение и постановка задачи
1.2. Фуллерсн и его оптические свойства
1.2.1. Структура молекулы С во и кристаллическая структура фуллерита
1.2.2. Колебательные спектры С и материалов на его основе
1.2.3. Электронные свойства Сбо
1.2.4. Заключение и постановка задачи
ГЛАВА II. ДИПОЛЬ НОА КТИВНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ
В 1а2Сих.
2.1. Методика экспериментов
2.2. Анизотропия спектров отражения Ьа2Сих
2.3. Спектр фононов Ьа2Сих
2.4. Анализ влинни стехиометрии и степени орторомбичности монокристаллов на фонониые спектры.
2.5. Заключение
ГЛАВА III. НИЗКОЭНЕРГЕТИЧНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ
В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФАЗАХЬа2Сих.
3.1. Исследование ИКспектров отражения и оптической проводимости в полупроводниковой антиферромагнитиой фазе монокристаллов ЬагСпОх
3.1.1. Методика экспериментов.
3.1.2. Влияние содержания кислорода па спектры отражения и оптической проводимости Ьа2СгЮ4
3.1.3. Влияние температуры на спектры отражения и оптическую проводимость 1м2Сих.
3.1.4 Электронный континуум.
3.1.5. Проводимость по постоянному току.
3.1.6. Модель спинполяр оное и их .многочастичных комплексов
3.2. Заключение.
ГЛАВА IV. ДИПОЛЬНОАКТИВНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ И НИЗ КОЭНЕРГЕ ТИ ЧНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ В Ф УЛЛЕРИТАХ С6ТФА, С6ТМПД.
4.1. Спектры оптических фононов монокристаллов комплексов фуллерена С6оТМПД и СбГФА
4.1.1. Методика экспериментов.
4.1.2. ИКспектры хлорбензола, ТФА и ГМИД в кристаллах С6ХБ, СыТФА и СТМПД.
4.1.3. Влияние взаимодействия аминов ТМПД и ТФА с молекулами Со на колебательные моды фуллерена
и см.
4.2. Низкоэнергетичные электронные переходы в монокристаллах фуллеритов СТФА и СбоТМПД.
4.2.1. Спектры пропускания монокристаллов СбсТФА и
СТМПД в области 0,22,2 эВ
4.2.2. Перенос заряда с амина на Со в монокристаллах
фуллеритов СбТФА и СыТМИД,.
4.3. Заключение.
ГЛАВА V. ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ
ПЕРЕХОДЫ В ПЛЕНКАХ С
5.1. Методика эксперимента
5.2. Фотоиндуцированное поглощение в пленках С6о
в диапазоне 0,4,0 эВ при температурах г0К.
5.2.1. Спектры при высоком уровне возбуждения
5.2.2. Спектры при низком уровне возбуждения.
5.2.3. Длинновременная эволюция фотоиндуцированного поглощения света в пленках С во
5.3. Обсуждение экспериментальных результатов.
5.3.1. Высокий уровень импульсного возбуждения
5.3.2. Низкий уровень непрерывного возбуждения
5.3.3. Исследование рекомбинационных параметров.
5.4. Заключение.
ВЫВОДЫ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922