Оглавление
Введение.
Глава 1.
1. Литературный обзор.
1.1 Тонкие плнки в современной технике.
1.2 Методы осаждения тонких плнок
1.2.1 Осаждение из паровой фазы.
1.2.1.1 Вакуумное испарение.
1.2.1.2 Молекулярнолучевая эпитаксия.
1.2.1.3 Осаждение из металлоорганических соединений.
1.2.2 Ионное распыление.
1.2.2.1 Магнетронное распыление.
1.2.2.2 Высокочастотное ионное распыление.
1.2.2.3 Реактивное ионное распыление
1.2.3 Импульсные методы осаждения тонких плнок.
1.2.3.1 Импульсное лазерное осаждение.
1.2.3.2 Осаждение плнок из плазмы взрывающихся проводников.
1.2.4.3 Импульсное ионное осаждение.
Выводы к первой главе.
Глава 2 Оборудование и методика эксперимента
2.1 Сильноточный импульсный ускоритель ТПМП.
2.2 Ионный диод с магнитной самоизоляцией.
2.3 Ионный диод с внешним магнитным полем.
2.4 Диагностическое оборудование
2.5 Методика эксперимента.
2.6 Методы исследования тонких плнок.
2.6.1 Исследования кристаллической структуры
2.6.2 Исследование микроструктуры.
2.6.3 Анализ состава материалов.
Глава 3 Влияние воздействия МИЛ на мишень.
3.1 Изменение кристаллической структуры поверхностного слоя мишени из ваАй при воздействии МИЛ.
3.2 Изменение химического состава поверхностного слоя мишени из СаЛя при воздействии МИП.
3.3 Морфология поверхности мишени из ваЛэ.
3.4 Коэффициент импульсной эрозии мишени из СаЛэ
3.5 Угловая расходимость абляционного материала ваАБ
Выводы к третьей главе.
Глава 4 Свойства и структура плнок.
Ведение.
4.1 Морфология поверхности, элементный и фазовый состав плнок ваАэ
4.2 Морфология поверхности, элементный и фазовый состав плнок 1пР
4.2 Зависимость морфологии поверхности плнок ОаАя от температуры подложки
4.3 Электрофизические свойства плнок ОаЛБ
Выводы к четвртой главе.
Заключение
Список литературы
- Київ+380960830922