Ви є тут

Кинетические и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Cd1-xMnxGeAs2 и Cd1-xMnxGeP2 при высоком давлении до 7 ГПа

Автор: 
Арсланов Темирлан Расулович
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2011
Кількість сторінок: 
133
Артикул:
137916
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава I. Литературный обзор
1. Кристаллическая структура соединений А,В1УСУ2.
1.1 Кристаллическая структура СсЮеАвг
1.2 Кристаллическая структура СсЮеР2
1.3 Кристаллическая структура ХпОеАяг.
1.4 Кристаллическая структура 2пОеР2
2. Электрофизические свойства полупроводников А1 С 2
3. Влияние введения 1элементов Мп, Сг, Ре на магнитные свойства
полупроводников А,гВ1УСу2.
3.1 СсЮеАзг.
3.2 СсЮеР2
3.3 2пОсА.
3.4 2пОеР2
3.5. Магнитные свойства МпАя и МпР
Глава П. Методика и техника эксперимента
2.1. Обзор методов создания гидростатического давления
2.2. Аппарат высокого давления типа Тороид
2.3. Создание гидростатического давления до 9 ГПа с помощью
аппарата Тороид
2.4. Экспериментальная установка и мелодика измерения удельного
сопротивления, магнитосопротивления и коэффициента Холла при
гидростатическом давлении до 9 ГПа
2.5. Методика измерения магнитной восприимчивости и объемной
магнитострикции под давлением
Глава III. Экспериментальная часть
3.1. Кинетические свойства СсЮеАБг с различным содержанием Мл при атмосферном давлении. Обсуждение полученных результатов
3.2. Кинетические и магнитные свойства СЮеАз2 с различным содержанием Мп при всестороннем давлении. Обсуждение полученных результатов
Глава IV. Экспериментальная часть
4.1. Кинетические и магнитные свойства СсЮеР2 с различным содержанием Мп при атмосферном давлении. Обсуждение полученных результатов
4.2. Кинетические и магнитные свойства СсЮеР2 с различным содержанием Мп при всестороннем давлении. Обсуждение полученных результатов
Выводы
Список литературы