СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. РЕЛАКСОРНЫЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ. ОСНОВНЫЕ МОДЕЛИ, ОПИСЫВАЮЩИЕ ПРОЦЕССЫ РЕЛАКСАЦИИ ПОЛЯРИЗАЦИИ В ОБЛАСТИ РАЗМЫТОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В
РСЭ, МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1 Релаксорное состояние.
1.2. Модельные представления
1.3. Исследования микроструктурных характеристик РСЭ
1.3.1. Рентгенографический анализ РСЭ
1.3.2. Высокоразрешающая электронная микроскопия ВРЭМ
1.4. Характеристика БВН как объекта с РФП.
1.4.1. Кристаллическая структура.
1.4.2. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов семейства БВМ
1.4.3. Диэлектрические свойства кристаллов БВМ в слабых полях
1.4.4. Диэлектрические свойства кристаллов БВЫ в сильных полях.
1.4.5. Исследования доменной и кристаллической структуры БВЫ.
1.4.6. Влияние легирования на свойства БВЫ.
1.5. Выводы.
ГЛАВА 2. ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ АППАРАТУРА, МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ И ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦОВ.
2.1. Экспериментальные установки для исследования диэлектрического отклика образцов
2.2. Установка для измерения акустических параметров образцов.
2.3. Система стабилизации и измерения температуры.
2.4. Режимы измерений.
2.5. Образцы
ГЛАВА 3. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И АКУСТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ БВЬб В СЛАБЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПОЛЯХ
3.1. Частотнотемпературные зависимости диэлектрической
проницаемости монокристаллов БВХтСг в области фазового перехода
3.2. Частотнотемпературные зависимости диэлектрической
проницаемости монокристаллов БВБРСг в области температур, лежащих ниже комнатной
3.3. Температурные зависимости акустических параметров монокристаллов БВЫгСг
3.4. Выводы
ГЛАВА 4. ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ 8ВМ РИ ВОЗДЕЙСТВИИ ПЕРЕМЕННЫХ ПОЛЕЙ РАЗЛИЧНОЙ АМПЛИТУДЫ
4.1. Петли поляризации в монокристаллах БВМСг.
4.2. Температуриополевые зависимости поляризационных характеристик монокристаллов БВТРСг.
4.2.1. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери БВЬРСг в сильных полях
4.2.2. Поведение остаточной поляризации в БВИгСг
4.3. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922