СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .
Г ЛАВА 1. Методы зондовой микроскопии в изучении локальных свойств
тонкопленочных структур. Методы получения ориентированных пленок на неориентирующих подложках Обзор литературы
1.1. Сканирующая зондовая микроскопия СЗМ гетероэпитаксиальных тонкопленочных структур
1.1.1. Применение методов СЗМ для исследования полупроводниковых структур с квантовыми ямами и точками .
1.1.2. Зондовая микроскопия морфологии и неоднородности структуры эпитаксиальных пленок высокотемпературного сверхпроводника У Ва2Сиз..
1.2. Методы получения ориентированных пленок на неориентирующих подложках .
ГЛАВА 2. Аппаратура и методы сканирующей зондовой микроскопии .
2.1. Принципы сканирующей зондовой микроскопии
2.2. Устройства для прецизионных микроперемещений объекта .
2.3. Конструкции сканирующих туннельных микроскопов СТМ
2.3.1. Вакуумный СТМ с атомарным разрешением
2.3.2. СТМ с большим полем обзора
2.3.3. СТМ, совмещенный с ближнепольным оптическим микроскопом .
2.4. Аппаратные и программные средства системы управления сканирующими зондовыми микроскопами .
2.4.1. Общая характеристика аппаратных средств системы управления
2.4.2. Программные средства системы управления
2.5. Краткие выводы .
ГЛАВА 3. Исследование локальных свойств тонкопленочных структур
4.2.3. Ориентированный рост пленок в поле упругих напряжений
Введение
Актуальность
- Київ+380960830922