Введение
Глава I. Обзор литературы
I. Туннелирование квазичастиц и эффект
Дкозефсона.
2. Свойства даозефсоновских туннельных переходов. Характерные параметры .
3. Стохастические колебания в даозефсоновских
туннельных переходах
4. СВЧ устройства на основе сверхпроводящих
туннельных переходов
5. Выводы и постановка задачи исследования
Глава 2. Параметры сверхпроводящих туннельных переходов
методика тестирования
I. Параметры сверхпроводящих туннельных
переходов.
2. Методика тестирования сверхпроводящих
туннельных переходов
3. Обсуждение результатов измерений .
4. Выводы.
Глава 3. Исследование СВЧ свойств туннельных переходов
I. Конструкции СВЧ измерительных головок. .
Методика измерений
2. Результаты измерений вольтамперных
характеристик туннельных переходов 3. СВЧ свойства шунтированных туннельных
переходов
4. Выводы.
Глава 4. Стохастические колебания в даозефсоновских
туннельных переходах .
I.Предмет исследования и методика эксперимента
2. Экспериментальные результаты и их
обсуждение.
3. Выводы
Глава 5. Исследование преобразователей, мм волн на
сверхпроводящих туннельных переходах, изготовленных на основе пленок ниобия
I. Методика измерении
2. Результаты измерений и их обсуждение . . . 3. Методы оптимизации характеристик приемных устройств на сверхпроводящих туннельных
переходах.
4. Выводы.
Заключение
Литература
- Київ+380960830922