Экспериментальное исследование зарядовых флуктуаций в алюминиевых одноэлектронных структурах стековой геометрии

ОГЛАВЛЕНИЕ
ПРЕДИСЛОВИЕ
ГЛАВА 1. ОДНОЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНЗИСТОР КАК СВЕРХЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕКТРОМЕТР
1.1. Одиночный туннельный переход, зарядовая энергия и условия наблюдения одноэлектронных эффектов.
1.2. Принципы работы одноэлектронного транзистора.
1.3. Зарядовая чувствительность одноэлектронного транзистора.
1.4. Поляризационный фоновый заряд, его флуктуации и их влияние
на работу одноэлектронных устройств.
1.5. Рабочая температура одноэлектронных устройств. Способы ее повышения.
1.6. Цели и задачи настоящей работы.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Технология изготовления одноэлектронных структур.
2.1.1. Структуры планарной топологии.
2.1.2. Стековые структуры.
2.2. Методика измерений.
ГЛАВА 3. НИЗКОЧАСТОТНЫЕ ЗАРЯДОВЫЕ ШУМЫ В ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ ТРАНЗИСТОРАХ СТЕКОВОЙ ГЕОМЕТРИИ
3.1. Зависимость уровня шума от площади контакта центрального острова транзистора с подложкой.
3.2. Зарядовая чувствительность стекового транзистора.
3.3. Шунтированный стековый транзистор.
3.3.1. Идея и метод изготовления шунтированного стекового одноэлектронного транзистора.
3.3.2. Шумовые характеристики шунтированного стекового одноэлектронного транзистора.
3.4. Аномалии в шумовых свойствах стекового одноэлектронного транзистора.
3.5. Предельная зарядовая чувствительность стековых транзисторов.
ГЛАВА 4. ОДНОЭЛЕКТРОННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ПРЕДЕЛЬНО МАЛЫМИ ТУННЕЛЬНЫМИ ПЕРЕХОДАМИ
4.1. Технологические особенности изготовления одноэлектронных транзисторов с предельно малыми туннельными переходами.
4.2. Шумовые характеристики одноэлектронных транзисторов с предельно малыми туннельными переходами.
4.3. Транзисторы комбинированной геометрии.
ГЛАВА 5. СРУКТУРЫ ИЗ МНОГИХ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ СТЕКОВОЙ ГЕОМЕТРИИ
5.1. Влияние флуктуаций фоновых зарядов на работу одноэлектронной ячейки памяти.
5.2. Цепочки на основе стековых туннельных переходов.
5.3. Одноэлекгронный транзистор с цепочками стековых туннельных переходов вместо одиночных переходов.
5.4. Стековые структуры с полностью изолированными от контакта
с подложкой элементами.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ