ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1 Литературный обзор
1.1. Дифракция электронов на кристалле и се связь с электростатическим потенциалом.
1.2. Экспериментальные методы, использующие для определения электростатического потенциала дифракцию электронов.
1.3. Динамическое рассеяние электронов.
1.3.1. Двухволновос приближение
1.3.2. Многоволновое приближение.
1.4. Кристаллохимия и динамика рештки ЬР, ЫаР, МбО и Се
1.4.1 Структурные модели.
1.4.2. Кристаллохимия бинарных кристаллов
1.4.2.1. Тепловые колебания атомов.
1.4.2.2. Эффективные заряды в бинарных кристаллах
1.4.3 Кристаллохимия кристалла
Глава II. Прецизионные электроиографичсскнс исследования
ЬР, ИаИ, и Се.
2.1. Полнкристаллнческие пленки ЬР, ЫаР, . Получение пленок, измерение дифракционных картин, вычисление структурных амплитуд
2.2. Поликрнсталлические образцы Се. Препарирование, измерение дифракционных картин и вычисление структурных
амплитуд
Глава III. Уточнение структурных моделей для 1лТ, ИаР, и Се.
3.1. Структурная кмодсль для ЬР, ЫаР и .
3.2. Структурная мультипольная модель для Се.
Глава IV Количественный анализ электронной плотности и
электростатического потенциала в ЬР, ЫаР, и Сс
4.1. Топологические характеристики электростатического
потенциала.
4.2. Распределение электростатического потенциала и электронной плотности в бинарных кристаллах.
4.3. Распределение электростатического потенциала и электронной
плотности в ковалентном кристалле вс
Глава V. Обсуждение результатов
5.1 Средний внутрикристаллнчсскнй потенциал.
5.2. Особенности распределения ЭСП в бинарных кристаллах
5.3. Особенности распределения ЭСП в кристаллах ве
Заключение.
Основные результаты и выводы.
Список литературы
- Київ+380960830922