СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
I. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ АВТОМАТИЗАЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ВЫРАЩИВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ КРЮ ТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА. I
1.1. Процессы производства оптических кристаллов . Ю
1.2. Краткая характеристика промышленных кристаллизацион ных установок для выращивания оптических кристаллов
как объектов управления .
1.3. Обобщенная модель класса технологических процессов выращивания оптических кристаллов из расплава
1.. Анализ задач моделирования и управления ТП выращивания
1.5. Определение методологической основы и постановка задач диссертационной работы .
1.5.1. Конструктивные функции системного подхода к задаче моделирования технологических процессов выращивания оптических кристаллов
1.5.2. Постановка задачи формирования математической модели технологического процесса выращивания оптических кристаллов
Основные результаты и выводы .
2. ОБОБЩЕННАЯ МОДЕЛЬ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА СТРУКТУРНЫЙ И ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ
2.1. Функциональная модель обобщенного технологического
процесса выращивания оптических кристаллов из расплава
Стр.
2.2. iодинамическое описание подсистем обобщенного технологического процесса выращивания оптических кристаллов из расплава.
2.2.1. Формирование вектора координат состояния обобщенного технологического процесса выращивания оптических кристаллов
2.2.2. Модели термодинамического взаимодействия подсистем обобщенного ТП выращивания ОК . . .
2.2.3. Структурное представление операторов термодинамического взаимодействия .
2.2.4. Определение параметров типовой термодинамической структуры.
Основные результаты и выводы
3. ПОСТРОЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА ПО МЕТОДУ ГОРИЗСНТАЛЬНОНАПРАВЛЕНН ОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ .
3.1. Синтез модели нулевого ранга ТП выращивания ОК . . .
3.2. Синтез модели первого ранга ТП выращивания ОК . . .
3.3. Синтез сигнального графа модели ТП выращивания ОК . III
3.3.1. Построение сигнального графа низшего уровня описания ТП выращивания ОК .
3.3.2. Построение сигнального графа среднего уровня описания ТП выращивания ОК .
3.3.3. Построение сигнального графа верхнего уровня описания ТП выращивания ТК
3.3.3.1. Сигнальный граф гидравлических взаимодействий
3.3.3.2. Сигнальный граф электромеханических взаимодействий.
Стр.
3.3.3.3. Сигнальный граф пневматических взаимодействий .
3.3.3.4. Сигнальный граф электрических взаимодействий
3.4. Оценка параметров операторов модели ТП выращивания
3.4.1. Тепловые взаимодействия .
3.4.2. Гидравлические взаимодействия .
3.4.3. Тепло и массообмен в технологическом теле .
3.4.4. Электрические и электромеханические взаимо
дейс твия
Основные результаты и выводы .
4. АНАЛИЗ МОДЕЛИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ И РАЗРАБОТКА ДВУХУРОВНЕВОЙ ПРОМЫШЛЕННОЙ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ УСТАНОВКОЙ СГВК.
4.1. Подготовка к машинному анализу
4.2. Энтропийный критерий оптимальности процесса кристаллизации
4.3. Исследование модели ТП выращивания ОК с помощью частной модели
4.4. Двухуровневая система управления процессом выращивания ОК в установке СГВК.
4.4.1. Алгоритмы управления первого уровня САУ установкой СГВК.
4.4.2. Структура второго уровня САУ установкой СГВК
4.5. Техническое обеспечение систем управления установкой
4.5.1. Информационное обеспечение перспективной системы управления установкой СГВК .
4.5.1Л. Преобразователи электрических величин
4.5.1.2. Преобразователи механических величин
4.5.1.3. Преобразователи тепловых величин . .
4.5.2. Техническая структура перспективной системы управления установкой СГВК.
4.5.3. Многоканальное программнозадающее устройство
Основные результаты и выводы .
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922