Аналитические модели взаимодействия заряженных краевых дислокаций и точечных дефектов в кристаллических структурах

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЗАРЯЖЕННЫЕ ДИСЛОКАЦИИ В КРИСТАЛЛАХ.
1 Л.Структура и свойства дислокаций в кристаллах.
1.2. Модели заряженных дислокаций
1.3. Эффекты на заряженных дислокациях.
1.4. Заряженные дислокации в электромагнитном поле.
1.5. Диссипация энергии движущихся дислокаций
ГЛАВА 2. АНАЛИТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ДИСЛОКАЦИЙ И ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ.
2.1 .Основная система уравнений для одного типа точечных дефектов.
2.2.Модел взаимодействия системы дислокацияоблако при наличии градиента температуры
2.3.Модель взаимодействия системы дислокацияоблако в электрическом поле. Прямой и обратный пьезоэффек
2.4.Модель взаимодействия системы дислокация облако при наличии градиента температуры и магнитного поля. Дислокационный поперечный эффект НернстаЭттингсхаузена
2.5.Модель взаимодействия системы дислокация облако в скрещенном элек трическом и магнитном поле.
2.6.Модель взаимодействия движущейся заряженной дислокации с облаком точечных дефектов при наличии магнитного поля перпендикулярного к ее оси. Дислокационный эффект Холла.
2.7.Модель взаимодействия движущейся заряженной дислокации с облаком точечных дефектов во внешнем магнитном поле, параллельном ее оси
2.8.сновная система уравнений для двух типов точечных дефектов
2.9.Модель поперечного дислокационного эффекта Периста Эттингсхаузена для двух типов точечных дефектов
2Модель взаимодействия системы дислокацияоблако во внешнем электрическом поле при наличии двух типов подвижных точечных дефектов.
2Модель взаимодействия системы дислокацияоблако при наличии градиента температуры для двух типов подвижных точечных дефектов
2Модель взаимодействия системы дислокацияоблако в скрещенных электрическом и магнитном нолях при наличии двух типов подвижных точечных дефектов
2Модель дислокационного эффекта Холла для двух типов подвижных точечных дефектов.
2Модель взаимодействия движущейся дислокации с двумя тинами подвижных точечных дефектов во внешнем магнитном поле, параллельном ее оси.
2Диффузионная модель дислокационных эффектов. Границы применимости построенных аналитических моделей. Математические методы определения параметров дефектов
2Вывод ы
ГЛАВА 3. АНАЛИТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ ЗАРЯЖЕННЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ.
3.1. Основная система уравнений. Модель рассеяния на неподвижной дислокации
3.2. Модель рассеяния на движущейся дислокации с одним типом точечных дефектов.
3.3. Модель рассеяния на колеблющейся дислокации с одним типом точечных дефетов
ЗАМодель рассеяние электромагнитной волны на кристалле с двумя
типами точечных дефектов
3.5.Модель рассеяния на дислокационной решетке
3.6.Математические методы определения характеристик дефектной
структуры кристалла по картине рассеяния
3.7.Теоретические и экспериментальные зависимости характеристик рассеяния электромагнитной волны от параметров дислокаций
3.8.Вывод ы.
ГЛАВА 4. ААЛИТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ КОЛЕБАНИЙ, ЛОКАЛИЗОВАННЫХ НА ДИСЛОКАЦИЯХ, В ИОННЫХ И КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛАХ .
4.1.Модель поляритонов, локализованных вблизи дислокаций, в ионных кристаллах.
4.2.Модель плазменных колебаний, локализованных вблизи заряженных дислокаций, в полупроводниковых кристаллах при одном типе подвижных носителей заряда.
4.3.Модель плазменных колебаний, локализованных на заряженной
дислокационной стенке
4.4.Модель колебаний электронно дырочной плазмы локализованных на дислокациях
4.5.Вывод ы.
ГЛАВА 5. КВАНТОВОМЕХАНИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ МЕХАНИЗМОВ ТОРМОЖЕНИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ДИСЛОКАЦИЙ В ИОННЫХ И КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛАХ.
5.1.Квантовомеханическая модель взаимодействия электрического поля движущейся заряженной дислокации с диссипативными центрами
5.2.Модель торможения заряженных дислокаций примесными атомами в полупроводниках.
5.3.Модель торможения экситонами ВаньеМотта в ионном кристалле при низкой температуре
5.4.Модель торможения поляронами сильной связи в ионных кристаллах
5.5.Модель торможения поляронами слабой связи в ионных кристаллах.
5.6.0ценка эффектов торможения заряженной дислокации за счет упругого взаимодействия с диссипативными центрами.
5.7.Классификация механизмов торможения дислокации
5.8.Вывод ы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВ 1ЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ. АНАЛИТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПРОЦЕССОВ ТОРМОЖЕНИЯ ВИНТОВЫХ ДИСЛОКАЦИЙ В ИОННЫХ И КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛАХ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ