Математическое моделирование теплоэлектрических процессов в структурах полупроводниковых изделий с дефектами

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава 1. Современные средства описания и моделирования тепловых свойств полупроводниковых изделий
1.1. Конструкционнотопологические и функциональные особенности мощных полупроводниковых изделий.
1.2. Тепловые модели полупроводниковых изделий.
1.2.1. Математическое описание тепловых процессов в структурах полупроводниковых изделий.
1.2.2. Обзор математических тепловых моделей полупроводниковых приборов
1.3. Обобщнная математическая тепловая модель структуры биполярного полупроводникового изделия с дефектом
1.4. Выводы
Глава 2. Математическое моделирование тсплоэлсктричсских процессов в структурах биполярных полупроводниковых приборов с дефектами в активной области.
2.1. Моделирование теплоэлектрических процессов в структуре мощного биполярного транзистора с дефектами в активной области.
2.1.1. Математическая постановка задачи
2.1.2. Аналитическое решение задачи распространения тепла в струюуре транзистора.
2.1.3. Алгоритм моделирования и численного решения задачи
2.1.4. Численное решение задачи и анализ полученных результатов.
2.1.5. Оценка погрешности результатов вычислений.
2.2. Моделирование теллоэлектрических процессов в структуре мощных светоизлучающих диодов.
2.2.1. Математическая постановка задачи
2.2.2. Решение задачи теплопереноса в светодиодной структуре
2.2.3. Численное решение задачи и анализ полученных результатов.
2.2.4. Тепловая модель СИД с тепловыделением в подложке
2.3. Оценка адекватности МТМ мощного биполярного транзистора и СИД.
2.4. Выводы
Глава 3. Моделирование тенлоэлектрических процессов в структурах биполярных полупроводниковых изделий с дефектами в области контакта с теплоотводом
3.1. Моделирование температурных полей в осесимметричной траизисгорной струюуре с дефектом в области контакта с тепл оотводом.
3.1.1 Математическая постановка задачи
3.1.2 Метод решения тепловой задачи и расчтный алгоритм с использованием пакета СОМЗОЬ МиШрИувка
3.1.3. Результаты расчтов и анализ полученных зависимостей
3.2. Моделирование температурных полей в прямоугольных структурах биполярных полупроводниковых приборов с дефектом теплофизического вида
3.2.1. Описание моделей структур НИИ и математическая постановка задачи
3.2.2. Численное решение задачи и анализ полученных результатов.
3.3. Выводы.
Глава 4. Термоактивационная модель разрушения контактных соединений в мощных полупроводниковых приборах.
4.1. Влияние неоднородного распределения тока и температуры в приборных структурах на механизмы отказов полупроводниковых изделий
4.2. Термомеханические напряжения в структуре ПЛИ и разрушение контактных соединений прибора.
4.3. Модель разрушения металлических связей контактного соединения
в структуре полупроводникового прибора
4.4. Численное решение задачи разрушения контактного соединения кристалла с теплоотводом.
4.5. Выводы
Заключение
Список литературы